[发明专利]一种用于BNCT加速器的中心区结构在审
申请号: | 202110266503.3 | 申请日: | 2021-03-11 |
公开(公告)号: | CN112911786A | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 郑侠;管锋平;冀鲁豫;宋国芳;张天爵;安世忠 | 申请(专利权)人: | 中国原子能科学研究院 |
主分类号: | H05H13/00 | 分类号: | H05H13/00 |
代理公司: | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人: | 卓凡 |
地址: | 10248*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 bnct 加速器 中心区 结构 | ||
1.一种用于BNCT加速器的中心区结构,包括用于偏转束流的螺旋偏转板(2),该用于偏转束流的螺旋偏转板(2)包括上螺旋偏转板(201)和下螺旋偏转板(202),上下螺旋偏转板之间设有螺旋状孔道、该螺旋状孔道用于束流沿着螺旋状孔道从竖直方向偏转为水平方向;还包括用于对经过它的束流进行卡束的限束板组件(3)、用于支撑并给螺旋偏转板(2)散热的法兰盘组件(1)和导热陶瓷组件;用于支撑并给上螺旋偏转板(201)供电的上绝缘支撑组件(4);连接并给下偏转板202供电的下绝缘支撑组件(5);该法兰盘组件(1)包括上法兰盘(101)和下法兰盘(102),
其特征在于:
所述限束板组件(3)包括支撑块(302)和支撑块(303),通过支撑块(302和支撑块(303)将上螺旋偏转板(201)固定在上法兰盘(101上,上螺旋偏转板(201)通过支撑块(302将热量传给上法兰盘(101),再通过上法兰盘(101)传递给下法兰盘(102),从而带走上螺旋偏转板(201)上的热量;
所述上螺旋偏转板(201)靠近支撑块1(302)一侧的体积增加了一倍,用于和支撑块1(302)进行连接,由此将上螺旋偏转板(201)的热量通过支撑块1(302)传递给上法兰盘(101);
所述法兰盘组件(1)的中间层为带有螺旋偏转板(2)束流引出口(105)的束流引出区域(104),该螺旋偏转板(2)束流引出区域同时兼做上、下法兰之间的支撑体和连接体,该螺旋偏转板(2)束流引出区域为不规则的环形、设有内径和外径,外径贴近加速器中心区束流通道(106)的边缘,在不遮挡加速器中心区束流通道的情况下,内径和外径之间的壁厚做到尽量大,从而增加上下法兰之间的接触面积。
所述下法兰盘(102)底部开设抽真空缝隙(107),该抽真空缝隙(107)向上对准螺旋偏转板(2)的螺旋形孔道、向下对准抽真空泵,从而强化螺旋偏转板(2)的局部抽真空;
所述导热陶瓷组件包括上导热陶瓷垫(6)、下导热陶瓷垫(7)、陶瓷绝缘罩(8),所述陶瓷绝缘罩(8)套装在下导热陶瓷垫(7)的外圈上,且其平面高于下导热陶瓷垫(7)的平面,它们厚度方向一部分是重合、另一部分各自独立,由此增加了用于下法兰盘(102)的爬电距离,所述的爬电距离为下偏转板到下法兰盘之间的爬电距离,使得下偏转板和法兰组件(1)之间不容易打火。
2.根据权利要求1所述一种用于BNCT加速器的中心区结构,其特征在于:所述上螺旋偏转板(201)用于导热而增加的体积为一倍以上,一方面,所增加的一倍以上的体积,可以将热量分散开,从而减少了上螺旋偏转板(201)单位体积热量;另一方面,所增加的一倍以上的体积用于通过导热陶瓷垫6与支撑块(302)连接,从而将上螺旋偏转板(201)热量通过下法兰盘(102)带走。
3.根据权利要求1所述一种用于BNCT加速器的中心区结构,其特征在于:所述下法兰盘(102)上增设的抽真空缝隙(107),其抽真空缝隙环绕下导热陶瓷绝缘垫(7)的边缘形状开设,且抽真空缝隙的外径小于或等于所述螺旋偏转板(2)束流引出区域的内径、从而不因为开设抽真空缝隙而缩小上下法兰之间的最大接触面积。
4.根据权利要求1所述一种用于BNCT加速器的中心区结构,其特征在于:下法兰盘(102)上焊接有水冷管(103)对下法兰盘(102)进行冷却,上法兰盘(101)、下法兰盘(102)之间通过螺钉与它们之间的螺旋偏转板(2)束流引出区域固定在一起,下法兰盘(102)通过热传导对上法兰盘(1)进行冷却。
5.根据权利要求1所述一种用于BNCT加速器的中心区结构,其特征在于:所述上绝缘支撑组件(4)与上螺旋偏转板(201)通过螺钉进行连接;所述上绝缘支撑组件(4)包括内芯的支撑杆组件和外表面的绝缘杆组件,该内芯的支撑杆组件包括顶端连接上螺旋偏转板(201)的上支撑杆(401)、以及下端连接供电机构的上触电杆(402),上支撑杆(401)与上触电杆(402)之间螺纹连接;该外表面的绝缘杆组件包括位于绝缘支撑组件(4)上半部分的上绝缘柱(403)及位于绝缘支撑组件(4)下半部分的绝缘柱(404)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国原子能科学研究院,未经中国原子能科学研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110266503.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。