[发明专利]一种缓冲气体边带抑制的单峰原子滤光器

权利要求书

1.一种缓冲气体边带抑制的单峰原子滤光器，其特征在于，包括：外腔半导体激光器(1)、Glan-Tylar棱镜A(2)、Glan-Tylar棱镜B(3)、铷原子蒸气室(5)、温度控制器(6)、第一永磁体(7)、第二永磁体(8)和光电探测器(4)；外腔半导体激光器(1)的光路上放置Glan-Tylar棱镜A(2)，Glan-Tylar棱镜A(2)后设有磁屏蔽盒(9)，磁屏蔽盒(9)内部放置第一永磁体(7)、第二永磁体(8)和铷原子蒸气室(5)，铷原子蒸气室(5)上包裹有热敏电阻；第一永磁体(7)位于Glan-Tylar棱镜A(2)的光路上，铷原子蒸气室(5)置于第一永磁体(7)和第二永磁体(8)之间，且铷原子蒸气室(5)位于Glan-Tylar棱镜A(2)的光路上；第二永磁体(8)后放置Glan-Tylar棱镜B(3)，Glan-Tylar棱镜B(3)的光路上放置光电探测器(4)；铷原子蒸气室(5)上固定有温度控制器(6)，温度控制器(6)通过电线(10)电连接铷原子蒸气室(5)上包裹的热敏电阻；

第一永磁体(7)和第二永磁体(8)之间的轴向静磁场方向与铷原子蒸气室C的滤光方向平行；第一永磁体(7)和第二永磁体(8)的中部均可透光，第一永磁体(7)和第二永磁体(8)相正对的两个面的磁体极性相反；

铷原子蒸气室(5)内充有缓冲气体，铷原子蒸气室(5)上靠近第一永磁体(7)和第二永磁体(8)的两端均可透光；

Glan-Tylar棱镜A(2)和Glan-Tylar棱镜B(3)的偏振方向相互垂直正交。

2.根据权利要求1所述缓冲气体边带抑制的单峰原子滤光器，其特征在于：外腔半导体激光器(1)为780nm波长的外腔半导体激光器。

3.根据权利要求1所述缓冲气体边带抑制的单峰原子滤光器，其特征在于：铷原子蒸气室(5)从左到右依次划分为第一铷原子蒸气室、第二铷原子蒸气室和第三铷原子蒸气室。

4.根据权利要求3所述缓冲气体边带抑制的单峰原子滤光器，其特征在于：第一铷原子蒸气室、第二铷原子蒸气室和第三铷原子蒸气室的材质均为石英玻璃；第一铷原子蒸气室、第二铷原子蒸气室和第三铷原子蒸气室的规格均为：体直径15mm、体长度50mm、体壁厚1.5mm、冷凝端长度20mm；第一铷原子蒸气室、第二铷原子蒸气室和第三铷原子蒸气室内均充有相同量的⁸⁷Rb元素；第一铷原子蒸气室、第二铷原子蒸气室和第三铷原子蒸气室所充气体量分别为0torr、5torr和25torr。

5.根据权利要求1所述缓冲气体边带抑制的单峰原子滤光器，其特征在于：铷原子蒸气室(5)内的缓冲气体为Ar与N₂的混合气体。

6.根据权利要求5所述缓冲气体边带抑制的单峰原子滤光器，其特征在于：缓冲气体中Ar与N₂的混合比例为1：1.5。

7.根据权利要求1所述缓冲气体边带抑制的单峰原子滤光器，其特征在于：第一永磁体(7)和第二永磁体(8)为环形永磁体；温度控制器(6)上设有聚酰亚胺加热片；温度控制器(6)内部还设有降压电源模块。