[发明专利]2-6 GHz大功率放大器输出内匹配结构有效
| 申请号： | 202110258695.3 | 申请日： | 2021-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN112994621B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 杨兴;张剑;钟世昌;张茗川;陈晓青 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H03F1/02 | 分类号： | H03F1/02;H03F3/20;H03F3/189 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 严海晨 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ghz 大功率 放大器 输出 匹配 结构 | ||
1.2-6 GHz大功率放大器输出内匹配结构，其特征是其结构包括微带短截线短路结构、多段微带线匹配结构和隔直结构，所述微带短截线短路 结构与多段微带线匹配结构相连接，两者共同组成功率合成网络；所述微带短截线短路结构、多段微带线匹配结构与隔直结构相连接；
所述多段微带线匹配结构包括四段微带线，1#微带线（2）连接微带短截线短路结构，另一端连接GaN管芯（3）一端，GaN管芯（3）另一端连接2#微带线（4）一端，2#微带线（4）另一端连接3#微带线（5）一端，3#微带线（5）另一端连接4#微带线（6）一端，4#微带线（6）另一端连接隔直结构；每一段微带线之间通过金丝键合工艺实现电气互联,其中，微带短截线短路结构与1#微带线（2）数量各为4个，2#微带线（4）数量为2个，3#微带线（5）与4#微带线（6）数量各为1个；
所述内匹配结构的电路输入端连接4个GaN管芯，通过键合金丝实现电气连接，电路输出端连接50ohm电路系统，通过键合金丝实现电气连接。
2.根据权利要求1所述的2-6 GHz大功率放大器输出内匹配结构，其特征是所述微带短截线短路结构由微带线和MOS电容组成，所述多段微带线匹配结构包括多段微带线，所述微带线为介电常数9.9、厚度380um的氧化铝陶瓷基板，表面镀金厚度10um； MOS电容为介电常数85、厚度180um的陶瓷基板，表面镀金厚度10um；微带线与MOS电容之间通过金丝键合工艺相连从而实现射频短路。
3.根据权利要求1所述的2-6 GHz大功率放大器输出内匹配结构，其特征是所述GaN管芯为12mmGaN管芯，工作电压28V。
4.根据权利要求1所述的2-6 GHz大功率放大器输出内匹配结构，其特征是所述多段微带线的宽度不相同，1#微带线（2）与2#微带线（4）宽度相同或差距小于0.1mm，2#微带线（4）比其他微带线宽，3#微带线（5）、4#微带线（6）形成渐变结构。
5.根据权利要求1、2或3所述的2-6 GHz大功率放大器输出内匹配结构，其特征是所述键合金丝为25um金丝。
6.根据权利要求1所述的2-6 GHz大功率放大器输出内匹配结构，其特征是所述隔直结构包括陶瓷电容与微带线。
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