[发明专利]电源电路和电源装置

权利要求书

1.一种电源电路，其特征在于，包括：

一第一N型金属氧化物半导体场效晶体管，该第一N型金属氧化物半导体场效晶体管的一漏极接收一第一输入电压；

一滤波器，耦接该第一N型金属氧化物半导体场效晶体管的一源极，并且用来输出一输出电压；

一运算放大器，该运算放大器的一非反相输入端通过一第一电容耦接接地端；

一控制电路，耦接该运算放大器的一反相输入端；以及

一第一开关，该第一开关的一端耦接该第一N型金属氧化物半导体场效晶体管的一栅极，另一端可切换地耦接该控制电路或该运算放大器的一输出端，使得该第一N型金属氧化物半导体场效晶体管的该栅极被切换耦接至该控制电路或该运算放大器的该输出端。

2.如权利要求1所述的电源电路，其特征在于，当该电源电路输出不为轻载时，该第一开关受控于一第一开关信号，使得该第一N型金属氧化物半导体场效晶体管的该栅极被切换耦接至该控制电路，且该控制电路则用来根据相应于该输出电压的一反馈电压，控制该第一N型金属氧化物半导体场效晶体管的开启或关闭，使得该第一N型金属氧化物半导体场效晶体管被作为一降压转换器中的上桥金属氧化物半导体场效晶体管。

3.如权利要求2所述的电源电路，其特征在于，当该电源电路输出为该轻载时，该第一开关受控于该第一开关信号，使得该第一N型金属氧化物半导体场效晶体管的该栅极被切换耦接至该运算放大器的该输出端，且该控制电路则用来提供该反馈电压至该运算放大器的该反相输入端，使得该第一N型金属氧化物半导体场效晶体管被作为一低压差稳压器中的功率晶体管。

4.如权利要求3所述的电源电路，其特征在于，还包括：

一输入电容，该输入电容的一第一端耦接该第一N型金属氧化物半导体场效晶体管的该漏极，该输入电容的一第二端则耦接该接地端，且该输入电容用来提供该第一输入电压；以及

一第二N型金属氧化物半导体场效晶体管，该第二N型金属氧化物半导体场效晶体管的一漏极耦接该第一N型金属氧化物半导体场效晶体管的该源极和该滤波器，该第二N型金属氧化物半导体场效晶体管的一源极则耦接该接地端，且该第二N型金属氧化物半导体场效晶体管的一栅极耦接该控制电路；

其中当该电源电路输出不为该轻载时，该控制电路也用来根据该反馈电压，控制该第二N型金属氧化物半导体场效晶体管的开启或关闭，使得该第二N型金属氧化物半导体场效晶体管被作为该降压转换器中的下桥金属氧化物半导体场效晶体管。

5.如权利要求4所述的电源电路，其特征在于，该滤波器包括：

一电感，该电感的一第一端耦接该第一N型金属氧化物半导体场效晶体管的该源极和该第二N型金属氧化物半导体场效晶体管的该漏极；以及

一输出电容，该输出电容的一第一端耦接该电感的一第二端，且该输出电容的一第二端耦接该接地端，使得该滤波器在该输出电容的该第一端和该电感的该第二端上产生该输出电压。

6.如权利要求5所述的电源电路，其特征在于，还包括一反馈电路，耦接于该电感的该第二端和该控制电路间，并且用来根据该输出电压产生相应的该反馈电压至该控制电路。

7.一种电源装置，包括：

一第一阶降压转换器；

一第二阶降压组件，该第二阶降压组件为如权利要求1所述的电源电路；

一计时开关电路，该计时开关电路的一第一端与该第一阶降压转换器的一输出端共同通过一节点耦接该第二阶降压组件的一输入端；以及

一第二开关，该第二开关的一端耦接该电源装置的一输入端，另一端可切换地耦接该第一阶降压转换器的一输入端或该计时开关电路的一第二端，使得该电源装置的该输入端被切换耦接至该第一阶降压转换器的该输入端或该计时开关电路的该第二端，且该电源装置的该输入端接收比该第一输入电压高的一第二输入电压。