[发明专利]自校准晶振驱动系统在审
申请号: | 202110256568.X | 申请日: | 2021-03-09 |
公开(公告)号: | CN113014249A | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 徐挺;雷红军 | 申请(专利权)人: | 苏州华芯微电子股份有限公司 |
主分类号: | H03L3/00 | 分类号: | H03L3/00;H03H9/19;H03L5/00 |
代理公司: | 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 | 代理人: | 钱超 |
地址: | 215011 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 校准 驱动 系统 | ||
1.一种自校准晶振驱动系统,其特征在于,所述自校准晶振驱动系统包括:
晶振元件,用于输出振荡信号;
驱动模块,与晶振元件相连,用于通过调节正反馈和负反馈的强度以输出维持晶振元件振荡的增益;
峰值检测模块,与晶振元件相连,用于对晶振元件的振荡信号进行峰值检测并输出直流信号;
比较反馈模块,连接峰值检测模块和驱动模块,用于通过分析直流信号来输出调节驱动模块的尾电流的信号从而调节驱动模块的输出增益。
2.根据权利要求1所述的自校准晶振驱动系统,其特征在于,所述驱动模块包括第一差分放大器、第二差分放大器和第三差分放大器;
其中,第二差分放大器的输入端和第三差分放大器的输入端均连接第一差分放大器的输出端,第二差分放大器的输出端与第一差分放大器的正极输入端相连,第二差分放大器用于提供正反馈增益至第一差分放大器,第三差分放大器的输出端与第一差分放大器的负极输入端相连,第三差分放大器用于提供负反馈增益至第一差分放大器;
晶振元件的一端连接第二差分放大器的输出端、另一端接地,第二差分放大器的输出端连接第一电容的一端,第一电容的另一端接地,第三差分放大器的输出端连接第二电容的一端,第二电容的另一端接地。
3.根据权利要求2所述的自校准晶振驱动系统,其特征在于,所述第二差分放大器和第三差分放大器反馈至第一差分放大器输入端的总反馈增益G总为:
其中,Gm1为第一差分放大器的增益,Gm2为第二差分放大器的增益,Gm3为第三差分放大器的增益,Rosc为晶振元件的等效阻抗,ω为角频率,为第一电容的容抗,为第二电容的容抗。
4.根据权利要求2所述的自校准晶振驱动系统,其特征在于,所述第一差分放大器包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和第六NMOS管;
其中,第一PMOS管的栅极和漏极相连,第一PMOS管的栅极同时与第二差分放大器和第三差分放大器相连,第一PMOS管的源极与电源相连,第一PMOS管的漏极与第一NMOS管的漏极相连,第一NMOS管的栅极与第三差分放大器相连;
第二PMOS管的栅极和漏极相连,第二PMOS管的栅极同时与第二差分放大器和第三差分放大器相连,第二PMOS管的源极与电源相连,第二PMOS管的漏极与第二NMOS管的漏极相连,第二NMOS管的栅极与第二差分放大器相连;
第六NMOS管的漏极同时与第一NMOS管的源极以及第二NMOS管的源极相连,第六NMOS管的栅极与比较反馈模块相连,第六NMOS管的源极接地。
5.根据权利要求2所述的自校准晶振驱动系统,其特征在于,所述第二差分放大器包括第三PMOS管、第四PMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管;
其中,第三PMOS管的源极连接电源,第三PMOS管的栅极与第一差分放大器相连,第三PMOS管的漏极与第三NMOS管的漏极相连;
第三NMOS管的漏极与栅极相连,第三NMOS管的栅极与第四NMOS管的栅极相连,第三NMOS管的源极接地;
第四PMOS管的源极连接电源,第四PMOS管的栅极与第一差分放大器和第三差分放大器相连,第四PMOS管的漏极与第四NMOS管的漏极连接且同时连接第一差分放大器、晶振元件和第一电容;
第四NMOS管的栅极与第三差分放大器相连,第四NMOS管的源极接地。
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