[发明专利]铟蒸发舟

说明书

本发明提出了一种铟蒸发舟，铟蒸发舟用于盛放铟并将铟加热蒸发至半导体器件，以进行半导体器件的焊接和互连，铟蒸发舟包括：筒体和折流组件，筒体具有盛放铟的容纳腔；折流组件靠近容纳腔的开口设置，折流组件构造出折流通道，铟在折流通道流动时，至少发生一次路径弯折；其中，当筒体被加热时，容纳腔内的铟蒸发，并经折流通道流出容纳腔。根据本发明的铟蒸发舟，在容纳腔的开口处设置有折流组件，折流组件构造出折流通道内，被加热蒸发的铟在折流通道内弯折流动，有效避免了铟发生喷溅而在半导体器件上形成粗大颗粒和喷溅点的问题，而且，可以提高半导体器件上铟膜层的厚度均匀性，从而提高半导体器件的整体性能。

技术领域

本发明涉及红外探测器技术领域，尤其涉及一种铟蒸发舟。

背景技术

红外探测器的混成芯片，是由探测器和读出电路组成的。

在红外焦平面探测器的器件互连工艺中，经常会使用到铟材料。铟是一种很软的、延展性好、导电性能好的金属材料，非常适合于芯片的焊接和互连。

铟的使用方式是把铟蒸发到读出电路和探测器芯片表面，形成铟柱，然后进行焊接和互连。而铟蒸发最常用的方式就是热电阻蒸发。相关技术中采用的铟蒸发舟具有如下缺陷：蒸发后样品表面有粗大铟颗粒和喷溅点及样品表面的铟膜层厚度不均匀。

发明内容

本发明要解决的技术问题是如何解决铟蒸发后样品表面产生粗大颗粒和喷溅点及样品表面膜层厚度不均匀的问题，本发明提出一种铟蒸发舟。

根据本发明实施例的铟蒸发舟，所述铟蒸发舟用于盛放铟并将铟加热蒸发至半导体器件，以进行半导体器件的焊接和互连，所述铟蒸发舟包括：

筒体，所述筒体具有盛放铟的容纳腔；

折流组件，所述折流组件靠近所述容纳腔的开口设置，所述折流组件构造出折流通道，所述铟在所述折流通道流动时，至少发生一次路径弯折；

其中，当所述筒体被加热时，所述容纳腔内的铟蒸发，并经所述折流通道流出所述容纳腔。

根据本发明实施例的铟蒸发舟，在容纳腔的开口处设置有折流组件，被加热蒸发的铟在流动时，在折流组件构造出的折流通道内发生路径弯折。由此，折流组件可以遮挡避免被蒸发的铟发生喷溅而在半导体器件上形成粗大颗粒和喷溅点的问题，而且，高纯铟材料蒸发完成以后，半导体器件表面的铟粒子颗粒更细小，可以提高半导体器件上铟膜层的厚度均匀性，从而提高半导体器件的整体性能。

根据本发明的一些实施例，所述容纳腔的内壁靠近所述容纳腔的开口处具有台阶部，所述折流组件放置于所述台阶部上。

在本发明的一些实施例中，所述折流组件包括：

折流板，所述折流板具有间隔设置的多个折流孔；

盖板，所述盖板叠置于所述折流板上方，所述盖板具有蒸发口，所述容纳腔内的铟经所述折流孔路径转折后，从所述蒸发口逸出。

根据本发明的一些实施例，所述折流板为层叠设置的多个，相邻设置的两个所述折流板的折流孔沿所述筒体的轴向方向间隔交错设置。

在本发明的一些实施例中，所述盖板的后端范围为：0.5mm至1mm，所述蒸发口为直径范围在2mm至8mm的圆形通孔。

根据本发明的一些实施例，所述折流板为圆形所述折流孔形成为扇形，多个所述折流孔沿所述折流板的周向方向间隔设置。

在本发明的一些实施例中，所述折流板的周缘具有凸起台阶部。

根据本发明的一些实施例，所述铟蒸发舟还包括：

第一电极板，所述第一电极板靠近所述筒体的上端设置且所述筒体的外周壁连接；

第二电极板，所述第二电极板靠近所述筒体的下端设置且与所述筒体的外周壁连接。