[发明专利]一种基于阻容阵列的可配置弛张振荡器

权利要求书

1.一种基于阻容阵列的可配置弛张振荡器，包括起振电路和控制电路；所述起振电路包括带隙基准源、电容阵列、比较器组、启动与隔离电路、振荡输出逻辑电路，所述带隙基准源的输出信号经电容阵列与比较器组相连接，用于为电容阵列提供所需要的充电电流以及为所述比较器组提供参考电压；所述比较器组的输出信号经由启动与隔离电路与振荡输出逻辑电路相连；所述启动与隔离电路用于在芯片每次上电以及工作相切换时，将电路的工作状态确定到有效起始状态并触发振荡；所述振荡输出逻辑电路完成比较器组输出信号的锁存与触发，并基于组合逻辑电路产生弛张振荡器积分环路所需的控制信号；

所述控制电路包括专用寄存器组、数字逻辑控制电路和缓冲与调相电路；数字逻辑控制电路，通过专用寄存器组与起振电路连接，用于依靠振荡器输出信号以及经由缓冲与调相电路调整的振荡信号完成动态元件匹配控制；缓冲与调相电路，与数字逻辑控制电路及振荡输出逻辑电路相连接，用于对振荡器输出信号进行调整，产生数字逻辑控制电路所需的时钟信号；参考电流为与绝对温度成正比的电流，包括参考电流Iref1和参考电流Iref2，分别注入电容阵列，在电容阵列完成积分，通过积分操作使得电容阵列中的积分电容上极板电压发生变化；其特征在于，

所述带隙基准源包括有可配置电流镜和校正电阻阵列；所述参考电压为与绝对温度成正比的电压，采用与绝对温度成正比的电流注入校正电阻阵列产生，通过调整校正电阻阵列整体的阻值，从而对参考电压进行调整；

所述可配置电流镜包括由MOS场效应晶体管Ma1-Mam连接形成的第一电流镜结构、由MOS场效应晶体管Mb1-Mb4连接形成的第二电流镜结构和由MOS场效应晶体管Mc1-Mcn连接形成的第三电流镜结构，还包括MOS场效应晶体管M1、M2；

其中，MOS场效应晶体管M1、M2的源极和VSS信号相连，MOS场效应晶体管M1、M2的栅极连接在一起并与MOS场效应晶体管M2的漏极相连；MOS场效应晶体管Ma1-Mam、Mb1-Mb4和Mc1-Mcn的源极均与电源信号VDD相连，栅极均连在一起并和运算放大器A1的输出端out相连，MOS场效应晶体管Ma1-Mam的漏极均接入电阻阵列R1，每个电阻均与一个模拟开关串联，电阻阵列R1的另一端与双极型晶体管Q1的发射极相连，双极型晶体管Q1的基极和集电极均与VSS相连；MOS场效应晶体管Mb1的漏极与双极型晶体管Q2的发射极相连，双极型晶体管Q2的集电极和基极均与VSS相连，MOS场效应晶体管Mb2的漏极和M2的漏极相连，通过MOS场效应晶体管M1、M2形成电流镜结构，为运算放大器A1提供偏置电流；MOS场效应晶体管Mb3的漏极与电阻阵列R2相连，电阻阵列R2的另一端与双极型晶体管Q3的发射极相连，双极型晶体管Q3的集电极和基极均与VSS相连，MOS场效应晶体管Mb4的漏极与电阻阵列R3相连，电阻阵列R3的另一端与VSS相连，MOS场效应晶体管Mb4的漏极电压为比较器组的参考电压；MOS场效应晶体管Mc1-Mcn的各个MOS管的漏极均与开关相连，开关形成的开关阵列最终输出两路参考电流Iref1和Iref2，这两路参考电流分别为电容阵列中的两个积分电容充电。