[发明专利]电流传感器

权利要求书

1.一种电流传感器，检测流经测定对象的电流的大小，

所述电流传感器具备磁芯，所述磁芯包括第一磁芯和与所述第一磁芯磁性并联地设置的第二磁芯，

所述第一磁芯的导磁率在第一频带中比所述第二磁芯的导磁率高，在比第一频带高的第二频带中比所述第二磁芯的导磁率低，

所述电流传感器检测将所述第一频带和所述第二频带合并而成的频带中的电流的大小。

2.根据权利要求1所述的电流传感器，其中，

所述磁芯包括分别磁性并联地设置的所述第一磁芯至第N磁芯，其中N是3以上的自然数，

在所述第一频带中，所述第一磁芯的导磁率比从所述第二磁芯到所述第N磁芯的导磁率高，

在第n频带中，第n磁芯的导磁率比从所述第一磁芯到第n－1磁芯的导磁率高，并且比从第n+1磁芯到所述第N磁芯的导磁率高，其中n是从2到N－1的自然数，

在第N频带中，所述第N磁芯的导磁率比从所述第一磁芯到第N－1磁芯的导磁率高，

所述电流传感器检测将所述第一频带至所述第N频带合并而成的频带中的电流的大小。

3.根据权利要求1或2所述的电流传感器，其中，

所述磁芯形成为供所述测定对象插通于内部的环状。

4.根据权利要求3所述的电流传感器，其中，

由在所述第一频带以下的频率中环状以外的磁通的防止侵入效果成为基准以下的薄度的导电层，覆盖位于所述测定对象的插通方向上的所述磁芯的面。

5.根据权利要求3所述的电流传感器，其中，

由在将所述第一磁芯和所述N－1个第n磁芯合并而成的频带以下的频率中环状以外的磁通的防止侵入效果成为基准以下的薄度的导电层，覆盖位于所述测定对象的插通方向上的所述磁芯的面。

6.根据权利要求3所述的电流传感器，其中，

由在所述第一频带以下的频率中环状以外的磁通的防止侵入效果成为基准以下的薄度的导电层，覆盖所述磁芯的内周面。

7.根据权利要求3所述的电流传感器，其中，

由在将所述第一磁芯和所述N－1个第n磁芯合并而成的频带以下的频率中环状以外的磁通的防止侵入效果成为基准以下的薄度的导电层，覆盖所述磁芯的内周面。

8.根据权利要求4～7中任一项所述的电流传感器，其中，

所述导电层形成为带状，在极向卷绕于所述磁芯，并且在被卷绕的状态下重合的所述导电层之间形成有绝缘层。

9.根据权利要求4～7中任一项所述的电流传感器，其中，

所述电流传感器还具备绕线，所述绕线以沿着环向的方式在极向卷绕于所述磁芯。

10.根据权利要求4～7中任一项所述的电流传感器，其中，

所述电流传感器还具备绕线，所述绕线以沿着环向的方式在极向卷绕于所述磁芯，

所述导电层覆盖所述磁芯和所述绕线。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的电流传感器，其中，

所述第一磁芯和所述第二磁芯中的一方从另一方露出一部分，而能够从外部组装于所述另一方。

12.根据权利要求1～10中任一项所述的电流传感器，其中，

所述第一磁芯和所述第二磁芯中的一方以包围另一方的外周的方式设置于该另一方的外侧。

13.根据权利要求1～12中任一项所述的电流传感器，其中，

所述电流传感器还具备磁检测元件，

在所述磁检测元件的检测频带中所述第一磁芯和所述第二磁芯中的导磁率高的一方配置于所述磁检测元件的感测范围内。

14.根据权利要求13所述的电流传感器，其中，

在所述检测频带中所述第一磁芯和所述第二磁芯中的导磁率高的一方包围所述磁检测元件的外周。