[发明专利]一种高效抑制产毒黄曲霉菌孢子生长的绿色方法

说明书

本发明涉及霉菌防控领域，具体公开了一种磁性可见光催化复合材料高效抑制产毒黄曲霉菌孢子生长的绿色方法。采材料具有强磁性，便于回收，重复利用性能稳定。在可见光照射下，复合材料表现出良好地抑制产毒黄曲霉菌孢子生长的性能，抑制率达90％以上，该高效抑制真菌的方法可用于农产品储藏、运输等环节控制产毒黄曲霉菌孢子传播和生长，应用前景广阔。

技术领域

本发明涉及霉菌防控领域，具体公开了一种磁性光催化复合材料高效抑制产毒黄曲霉菌孢子生长的绿色方法。

背景技术

黄曲霉菌(Aspergillus flavus)是一种常见的病原真菌，其孢子在环境中分布广泛，在空气、土壤及水体中均存在。黄曲霉菌污染可造成农作物如花生等产量与质量下降，制约产业高质量发展，并会产生强毒性、强致癌的次生代谢产物即黄曲霉毒素，严重威胁人类和动物生命健康。近几十年，大量化学农药等杀菌剂被广泛用于防治病原真菌，虽然防控效果好，但也带来了环境污染、真菌耐药性等问题。目前缺乏高效、可持续和绿色的黄曲霉菌防控技术，因此，探寻高效、稳定产毒黄曲霉菌孢子的绿色方法，减少产毒黄曲霉菌及其毒素污染，对保障消费安全和推动产业高质量发展都具有重要意义。

发明内容

本发明针对现有技术缺乏高效、可持续和绿色的黄曲霉菌防控技术的问题，提出一种基于可见光催化技术的高效抑制产毒黄曲霉菌孢子生长的绿色方法，减少产毒黄曲霉菌及其毒素污染，保障农产品消费安全和产业发展。

为达到上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

提供一种高效抑制产毒黄曲霉菌孢子生长的绿色方法，磁性g-C₃N₄/NiFe₂O₄复合材料在可见光照射下抑制产毒黄曲霉菌孢子生长，所述的磁性g-C₃N₄/NiFe₂O₄纳米复合材料为NiFe₂O₄菱形纳米片与g-C₃N₄纳米片复合物。

按上述方案，所述的磁性g-C₃N₄/NiFe₂O₄复合材料中g-C₃N₄纳米片的大小为10±5nm，菱形NiFe₂O₄纳米片的长度为60～120nm。

按上述方案，所述的氮化碳纳米片具有非晶态结构，均匀负载于菱形铁酸镍纳米片表面。

按上述方案，所述氮化碳与铁酸镍的质量比为0.1～0.4：1。

按上述方案，所述的g-C₃N₄/NiFe₂O₄纳米复合材料的饱和磁化强度为43emu g^-1，便于回收利用。

按上述方案，所述的可见光辐照时间为30～90min。

按上述方案，产毒黄曲霉菌孢子生长的抑制率为60％以上，优选为70％以上，更进一步为80％以上，更优选为90％以上。

按上述方案，所述的磁性g-C₃N₄/NiFe₂O₄纳米复合材料的使用形式为粉末、悬浮液或磁性g-C₃N₄/NiFe₂O₄纳米复合材料制成的抑菌膜网等。所述的抑菌膜网为磁性g-C₃N₄/NiFe₂O₄纳米复合材料制成悬浮体，将悬浮体滴至基底如不锈钢薄膜等上自然流延成膜，在惰性气体保护下，300～350℃煅烧固定烧结，以使复合膜结合更紧密，制成。