[发明专利]基于层理发育储层的约束滤波校正电阻率的方法

说明书

本发明公开了一种基于层理发育储层的约束滤波校正电阻率的方法，解决了现有层理发育储层的电阻率往往呈现低阻尖峰状，严重影响西门杜公式计算含水饱和度的精度。方法包括1)获取待计算井层理发育储层段的测井资料；2)计算滤波偏移系数RTFO；3)得到校正后的电阻率RTT和4)输出计算结果。本发明方法能够有效校正层理发育储层的电阻率，为层理发育储层的含水饱和度精细计算提供关键参数，操作简便、适用范围广。

技术领域

本发明所涉及测录井领域，具体的说是一种基于层理发育储层的约束滤波校正电阻率的方法。

背景技术

目前层理发育储层评价过程中，计算含水饱和度主要使用西门杜公式，该公式中参与计算的测井资料主要有孔隙度、电阻率，由于层理发育储层微裂缝发育受泥浆侵入等因素影响，电阻率往往呈现低阻尖峰状，严重影响西门杜公式计算含水饱和度的精度，因此往往不适用于直接带入西门杜公式，从而影响西门杜公式计算含水饱和度的精度。

因此需要一种有效的方法，进行电阻率校正，实现层理发育储层含水饱和度的精细计算。

发明内容

本发明的目的是针对上述现状，旨在提供基于层理发育储层的约束滤波校正电阻率的方法。

本发明目的的实现方式为，基于层理发育储层的约束滤波校正电阻率的方法，具体步骤如下：

1)获取待计算井层理发育储层段的测井资料

测井资料包括电阻率RT，以及经滤波后的电阻率RTF；

上述数据可按实际测井采集取采样点，通常为按0.1-0.15m采样取点，优选0.125m；

优选采用曲线均值7点滤波法对电阻率RT进行滤波后得到电阻率RTF；

所述电阻率计量单位Ω·m；

2)计算滤波偏移系数RTFO

按模型RTFO＝|RT/RTF-1|；

所述滤波偏移系数RTFO无量纲；

3)得到校正后的电阻率RTT

按约束条件RTFO＞0.2,RTT＝RTF；RTFO≤0.2,RTT＝RT；输出校正后的电阻率RTT；

校正后的电阻率RTT计量单位Ω·m；

4)输出计算结果。

本发明方法基于层理发育储层的电阻率呈现低阻尖峰状的特点，通过采集电阻率RT以及经滤波处理后的电阻率RTF，并利用特定模型计算滤波偏移系数，以判断带入西门杜公式的校正电阻率为电阻率还是经滤波后的电阻率，达到校正电阻率的目的，为层理发育储层的含水饱和度精细计算提供关键参数，操作简便、适用范围广。本发明已在FL页岩气田应用78口井，为非常规储层的勘探开发作出了贡献。

附图说明

图1为本发明工作流程框图；

图2为A井页岩气储层约束滤波校正电阻率对比图；

图3为B井泥灰岩储层约束滤波校正电阻率对比图。

具体实施方式

下面参照附图详述本发明。

参照图1，本发明的具体步骤为：

1)获取待计算井层理发育储层段的测井资料

测井资料包括电阻率RT，滤波后电阻率RTF；

上述数据可按实际测井采集取采样点，一般按0.1-0.15m采样取点，优选为0.125m；

其中，RTF采用曲线均值7点滤波法对RT进行滤波后得到；