[发明专利]一种氧吸附增强单层WS2 有效
| 申请号： | 202110218194.2 | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN113549452B | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 潘安练;骆子煜;陈舒拉 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | C09K11/68 | 分类号： | C09K11/68;C09K11/02;C01G41/00 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 | 代理人： | 盛武生;魏娟 |
| 地址： | 410082 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 吸附 增强 单层 ws base sub | ||
1.一种氧吸附增强单层WS2荧光的方法，其特征在于：将WS2进行物理气相沉积，得到WS2二维材料，随后将其置于含氧气体中处理，从而提高材料的荧光强度；
物理气相沉积过程的温度为1000~1200℃；
含氧气体的氧分压为20~100%；
在含氧气体中处理过程的温度为150~200℃。
2.如权利要求1所述的氧吸附增强单层WS2荧光的方法，其特征在于：处理后的材料的荧光强度增大的区域由边缘向中心扩展。
3.如权利要求2所述的氧吸附增强单层WS2荧光的方法，其特征在于：基于含氧气体的氧原子化学吸附边缘W原子悬挂键的机制增强边缘荧光强度，并基于含氧气体中的氧原子化学吸附在中心区域S原子空位的机制增强中心区域荧光强度。
4.如权利要求1所述的氧吸附增强单层WS2荧光的方法，其特征在于：所述的WS2二维材料为单层二维材料。
5.如权利要求1所述的氧吸附增强单层WS2荧光的方法，其特征在于：所述的含氧气体为纯氧，或者氧气和其他气体的混合气。
6.如权利要求1所述的氧吸附增强单层WS2荧光的方法，其特征在于：通过调控含氧气体氧分压和/或处理过程的温度，调控荧光增强区域由边缘向中心扩展的速率。
7.如权利要求1所述的氧吸附增强单层WS2荧光的方法，其特征在于：含氧气体的氧分压为45~60%。
8.如权利要求1所述的氧吸附增强单层WS2荧光的方法，其特征在于：在含氧气体中处理过程的温度为150~175℃。
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