[发明专利]磁场增强组件和磁场增强器件

说明书

本申请涉及一种磁场增强组件和磁场增强器件，在射频发射阶段，由于所述第二结构电容上的压差较大，所述第二开关控制电路导通。所述第二外接电容被短路。只有所述第三外接电容连接在所述第一电极层和所述第二电极层之间。通过设置合适的所述第三外接电容可以降低或避免所述磁场增强组件所在的回路在射频发射阶段的失谐程度。通过所述第三外接电容可以使在使用所述磁场增强组件时和使用所述磁场增强组件前，磁共振系统中的受测区域磁场强度相同。因此在射频发射阶段，磁共振系统中的受测区域的磁场强度保持前后一致，能够有效降低磁场增强对人体的不良影响。

技术领域

本申请涉及核磁共振成像技术，特别是涉及一种磁场增强组件和磁场增强器件。

背景技术

MRI(Magnetic Resonance Imaging，核磁共振成像技术)为非介入探测方式，是医药、生物、神经科学领域的一项重要的基础诊断技术。传统MRI设备传输的信号强度主要取决于静磁场B0的强度，采用高磁场甚至超高磁场系统可以提高图像的信噪比、分辨率和缩短扫描时间。然而静磁场强度的增加会带来如下三个问题：(1)射频(RF)场非均匀性增大，调谐难度增加；(2)人体组织产热增加，带来安全隐患，患者还容易出现眩晕和呕吐等不良反应：(3)购置成本大幅度增加，对大多数小规模医院来说是一种负担。因此，如何采用尽量小的静磁场强度同时能够获得高的成像质量成为MRI技术中一个至关重要的问题。

为了解决上述问题，现有技术提供了一种超构表面器件。所述超构表面器件包括支架，以及在圆弧形支架侧壁间隔排列的多个磁场增强组件。磁场增强组件可以用来提高射频磁场的强度和降低比吸收率，从而达到提高成像分辨率和减小信噪比的效果。

然而，目前提出的超构表面器件都是线性响应的，能够增强所有其谐振频率及其附近的射频磁场。核磁共振系统中存在两个射频阶段：射频发射阶段和射频接收阶段，这两个阶段的射频场具有相同的谐振频率。因此，超构表面器件在增强射频接收场的同时，还会大幅度增加射频发射场。射频发射场被增强之后，人体特种吸收率(specific absorptionrate，SAR)会大幅度增加，因此超构表面的加入会引起人体产热大幅度增加，带来安全问题。

发明内容

基于此，有必要针对上述问题，提供一种磁场增强组件和磁场增强器件。

一种磁场增强组件，包括：

第一电介质层，包括相对的第一表面和第二表面；

第一电极层，设置于所述第一表面；

第二电极层和第四电极层，间隔设置于所述第二表面，所述第一电极层分别与所述第二电极层和所述第四电极层在所述第一电介质层的正投影具有重叠部分；

第二外接电容、第三外接电容和第二开关控制电路，所述第三外接电容的一端与所述第二电极层连接，所述第三外接电容的另一端分别与所述第二外接电容的一端和所述第二开关控制电路的一端连接；

所述第二外接电容的另一端和所述第二开关控制电路的另一端分别与所述第一电极层连接；

所述第二开关控制电路用于在射频发射阶段导通，在射频接收阶段断开。

本申请实施例提供的磁场增强组件和磁场增强器件，在射频发射阶段，由于所述第二结构电容上的压差较大，所述第二开关控制电路导通。所述第二外接电容被短路。只有所述第三外接电容连接在所述第一电极层和所述第二电极层之间。通过设置合适的所述第三外接电容可以降低或避免所述磁场增强组件所在的回路在射频发射阶段的失谐程度。通过设置合适的所述第三外接电容，可以使在使用所述磁场增强组件时和使用所述磁场增强组件前，磁共振系统中的受测区域磁场强度相同。因此在射频发射阶段，磁共振系统中的受测区域的磁场强度能够保持前后一致，能够有效降低磁场增强对人体的不良影响。受测区域保持原来的磁场强度，能够消除所述磁场增强组件对射频发射阶段的干扰，可以有效提由多个所述磁场增强组件构成的所述磁场增强器件的临床实用性。使得所述磁场增强组件适用磁共振系统的所有的序列。