[发明专利]磁场增强装置

权利要求书

1.一种磁场增强装置，其特征在于，包括：

多个磁场增强组件(10)，每个所述磁场增强组件(10)包括：

第一电介质层(100)，具有相对设置的第一端(103)与第二端(104)，所述第一电介质层(100)还具有一个第一表面(101)，由所述第一端(103)到所述第二端(104)延伸，所述第一表面(101)包括第一电容区(11)、传导区(13)和第二电容区(12)，所述传导区(13)位于所述第一电容区(11)和所述第二电容区(12)之间，所述第一电容区(11)靠近所述第一端(103)，所述第二电容区(12)靠近所述第二端(104)；

第一电极层(110)，设置于所述第一表面(101)，由所述第一端(103)延伸至所述第二端(104)；

第二电极层(120)，设置于所述第一表面(101)，并位于所述第一电容区(11)，所述第二电极层(120)与所述第一电极层(110)位于所述第一电容区(11)的部分间隔设置；

第三电极层(130)，设置于所述第一表面(101)，并位于所述第二电容区(12)，所述第三电极层(130)与所述第一电极层(110)位于所述第二电容区(12)的部分间隔设置；

每个所述磁场增强组件(10)由所述第一端(103)至所述第二端(104)延伸，所述多个磁场增强组件(10)间隔设置，并包围形成一个磁场增强空间(105)；

多个第一谐振电容(911)，靠近所述第一端(103)设置，一个所述第一谐振电容(911)与一个所述磁场增强组件(10)对应设置，每个所述第一谐振电容(911)的一端与所述第二电极层(120)电连接，每个所述第一谐振电容(911)的另一端与所述第一电极层(110)位于所述第一电容区(11)的部分电连接，相邻两个所述磁场增强组件(10)的所述第二电极层(120)与所述第一电极层(110)位于所述第一电容区(11)的部分连接；

多个第二谐振电容(921)，靠近所述第二端(104)设置，一个所述第二谐振电容(921)与一个所述磁场增强组件(10)对应设置，每个所述第二谐振电容(921)的一端与所述第三电极层(130)电连接，每个所述第二谐振电容(921)的另一端与所述第一电极层(110)位于所述第二电容区(12)的部分电连接，相邻两个所述磁场增强组件(10)的所述第三电极层(130)与所述第一电极层(110)位于所述第二电容区(12)的部分连接。

2.如权利要求1所述的磁场增强装置，其特征在于，在所述第一电容区(11)中，所述第一谐振电容(911)设置于所述第一表面(101)；

在所述第二电容区(12)中，所述第二谐振电容(921)设置于所述第一表面(101)。

3.如权利要求1所述的磁场增强装置，其特征在于，还包括：

多个第一导电结构(519)，靠近所述第一端(103)设置，且每个所述第一导电结构(519)设置于相邻两个所述磁场增强组件(10)之间；

每个所述第一导电结构(519)的两端分别与相邻两个所述磁场增强组件(10)的所述第二电极层(120)和所述第一电极层(110)位于所述第一电容区(11)的部分连接；

多个第二导电结构(529)，靠近所述第二端(104)设置，且每个所述第二导电结构(529)设置于相邻两个所述磁场增强组件(10)之间；

每个所述第二导电结构(529)的两端分别与相邻两个所述磁场增强组件(10)的所述第三电极层(130)和所述第一电极层(110)位于所述第二电容区(12)的部分连接。

4.如权利要求1所述的磁场增强装置，其特征在于，还包括：

第五二极管(461)，所述第五二极管(461)的阳极与所述第二电极层(120)电连接；

第六二极管(462)，所述第六二极管(462)的阴极与所述第二电极层(120)电连接；以及

第五外接电容(445)，所述第五外接电容(445)的一端与位于所述第一电容区(11)的所述第一电极层(110)电连接，所述第五外接电容(445)的另一端分别与所述第五二极管(461)的阴极和所述第六二极管(462)的阳极电连接。