[发明专利]谐振器和谐振器的制造方法

权利要求书

1.一种谐振器，其特征在于，包括：

衬底；

压电层，该压电层形成在所述衬底上；

电极，该电极形成在所述压电层上；

氧化层，该氧化层形成在所述电极上并且覆盖所述电极；以及

频率调整层，该频率调整层形成在氧化层上。

2.如权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述频率调整层由SiN形成。

3.如权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述压电层由PMNT材料形成。

4.如权利要求3所述的谐振器，其特征在于，所述PMNT材料是单晶材料，并且所述PMNT材料的极化方向是[001]方向。

5.如权利要求4所述的谐振器，其特征在于，所述PMNT材料是0.67Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃-0.33PbTiO₃。

6.如权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述电极由Ti、Al、Cu、Cr、Au、Pt、Ag、Pd、Ni或它们的合金、或者这些金属或合金的层叠体形成。

7.如权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述衬底由SiC、蓝宝石、金刚石和Si中的一种或多种形成。

8.如权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述氧化层由SiO₂、SiFO和SiOC中的一种或多种形成。

9.一种制造谐振器的制造方法，其特征在于，包括：

将由PMNT材料形成的压电层与衬底层进行键合；

在键合完成之后，对所述压电层和所述衬底层进行冷却；

在所述压电层上沉积电极；

在所述电极上沉积氧化层；以及

在所述氧化层上沉积频率调整层。

10.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述压电层由PMNT材料形成。