[发明专利]一种产生圆偏振光的器件在审

专利信息
申请号: 202110178231.1 申请日: 2021-02-09
公开(公告)号: CN112987161A 公开(公告)日: 2021-06-18
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 吕岩
主分类号: G02B5/30 分类号: G02B5/30
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 710000 陕西省西安*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 产生 偏振光 器件
【说明书】:

发明涉及圆偏振光制备领域,具体提供了一种产生圆偏振光的器件,包括基底、贵金属微纳结构阵列层、锆钛酸铅镧透明陶瓷部、第一施力部、第二施力部,贵金属微纳结构阵列层置于基底上,锆钛酸铅镧透明陶瓷部置于贵金属微纳结构阵列层的中部,第一施力部和第二施力置于贵金属微纳结构阵列层上固定连接锆钛酸铅镧透明陶瓷部的相对两侧,贵金属微纳结构阵列层包括周期排列的L形贵金属微纳结构,L形贵金属微纳结构包括相互垂直并且连接的两臂,第一施力部和第二施力部的连线方向沿L形贵金属微纳结构的任一臂的方向。本发明产生圆偏振光简单,所制备的贵金属微纳结构阵列层可以重复利用,成本低。

技术领域

本发明涉及圆偏振光制备领域,具体涉及一种产生圆偏振光的器件。

背景技术

不同偏振的圆偏振光与手性物质作用时,表现出不同的响应。因此,制备圆偏振光是手性光学的基础。传统产生圆偏振光的器件不能调节,制备不同偏振的圆偏振光时,需要重新制作器件,成本高。

发明内容

为解决以上问题,本发明提供了一种产生圆偏振光的器件,包括基底、贵金属微纳结构阵列层、锆钛酸铅镧透明陶瓷部、第一施力部、第二施力部,贵金属微纳结构阵列层置于基底上,锆钛酸铅镧透明陶瓷部置于贵金属微纳结构阵列层的中部,第一施力部和第二施力部置于贵金属微纳结构阵列层上固定连接锆钛酸铅镧透明陶瓷部的相对两侧,贵金属微纳结构阵列层包括周期排列的L形贵金属微纳结构,L形贵金属微纳结构包括相互垂直并且连接的两臂,第一施力部和第二施力部的连线方向沿L形贵金属微纳结构的任一臂的方向。

更进一步地,基底的材料为透明材料。

更进一步地,L形贵金属微纳结构的厚度小于100纳米。

更进一步地,L形贵金属微纳结构部分地嵌入所述基底内。

更进一步地,L形贵金属微纳结构的两臂相同。

更进一步地,贵金属微纳结构阵列层的材料为金或银。

更进一步地,基底的材料为二氧化硅。

更进一步地,周期为方形周期或矩形周期。

本发明的有益效果:本发明提供了一种产生圆偏振光的器件,包括基底、贵金属微纳结构阵列层、锆钛酸铅镧透明陶瓷部、第一施力部、第二施力部,贵金属微纳结构阵列层置于基底上,锆钛酸铅镧透明陶瓷部置于贵金属微纳结构阵列层的中部,第一施力部和第二施力部置于贵金属微纳结构阵列层上固定连接锆钛酸铅镧透明陶瓷部的相对两侧,贵金属微纳结构阵列层包括周期排列的L形贵金属微纳结构,L形贵金属微纳结构包括相互垂直并且连接的两臂,第一施力部和第二施力部的连线方向沿L形贵金属微纳结构的任一臂的方向。应用时,通过第一施力部和第二施力部向锆钛酸铅镧透明陶瓷部施加压力,压力改变了沿压力方向电场振动分量的折射率;同时,应用线偏振光从锆钛酸铅镧透明陶瓷部一侧垂直照射贵金属微纳结构阵列层,线偏振光的方向沿L形贵金属微纳结构的角平分线方向。这样一来,线偏振光被分解为沿L形贵金属微纳结构两臂方向的分量,而这两种振动分量产生了光程差,在基底一侧出射时,两种振动分量合成为圆偏振光。因为上述光程差可以通过所施加的压力调控,所以本发明产生圆偏振光简单,所制备的贵金属微纳结构阵列层可以重复利用,成本低。

以下将结合附图对本发明做进一步详细说明。

附图说明

图1是一种产生圆偏振光的器件的示意图。

图2是的L形贵金属微纳结构阵列的示意图。

图中:1、基底;2、贵金属微纳结构阵列层;3、锆钛酸铅镧透明陶瓷部;4、第一施力部;5、第二施力部。

具体实施方式

为进一步阐述本发明达成预定目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及实施例对本发明的具体实施方式、结构特征及其功效,详细说明如下。

实施例1

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