[发明专利]一种基于低功耗反向散射放大标签的BPSK调制电路及其方法有效

专利信息
申请号: 202110170408.3 申请日: 2021-02-08
公开(公告)号: CN113055328B 公开(公告)日: 2022-09-09
发明(设计)人: 马涛;钟林灵;马彩虹 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H04L27/20 分类号: H04L27/20;H04W4/80
代理公司: 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 代理人: 刘长春
地址: 710000 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 功耗 反向 散射 放大 标签 bpsk 调制 电路 及其 方法
【权利要求书】:

1.一种基于低功耗反向散射放大标签的BPSK调制电路,其特征在于,包括天线、低功耗反向散射放大标签、偏置电压切换模块,其中,

所述天线,用于接收入射激励信号;

所述偏置电压切换模块,用于提供不同偏置电压;

所述低功耗反向散射放大标签,分别连接所述天线、所述偏置电压切换模块,用于根据所述不同偏置电压对所述入射激励信号进行放大并输出散射信号;

所述天线,还用于发送所述散射信号;

所述偏置电压包括90mV和100mV;

偏置电压Vi下低功耗反向散射放大标签的散射系数表示为:

其中,ZLi表示偏置电压Vi下从天线端口向低功耗反向散射放大标签看过去的负载阻抗,ZA表示天线阻抗,RLi表示偏置电压Vi下低功耗反向散射放大标签负载阻抗的实部,RA表示天线阻抗的实部,表示天线的共轭阻抗;

所述低功耗反向散射放大标签包括电容C1、电容C2、电感L、隧道二极管D,其中,

所述电容C1的一端与所述天线连接,所述电容C1的另一端与所述电感L的一端、所述隧道二极管D的正极连接,所述电感L的另一端与所述电容C2的一端、所述偏置电压切换模块连接,所述电容C2的另一端、所述隧道二极管D的负极均接地。

2.根据权利要求1所述的基于低功耗反向散射放大标签的BPSK调制电路,其特征在于,所述隧道二极管D为GI307A隧道二极管。

3.根据权利要求1所述的基于低功耗反向散射放大标签的BPSK调制电路,其特征在于,所述偏置电压切换模块通过包含DAC模块的单片机实现。

4.一种基于低功耗反向散射放大标签的BPSK调制方法,其特征在于,包括:

偏置电压切换模块提供若干偏置电压;

测量所述若干偏置电压下低功耗反向散射放大标签对天线接收的入射激励信号进行放大得到若干低功耗反向散射放大标签的散射系数;

根据所述若干低功耗反向散射放大标签的散射系数确定第一偏置电压和第二偏置电压;

根据所述第一偏置电压和所述第二偏置电压,对所述低功耗反向散射放大标签进行切换供电输出散射信号并由天线发送所述散射信号以实现BPSK调制;

所述偏置电压包括90mV和100mV;

偏置电压Vi下低功耗反向散射放大标签的散射系数表示为:

其中,ZLi表示偏置电压Vi下从天线端口向低功耗反向散射放大标签看过去的负载阻抗,ZA表示天线阻抗,RLi表示偏置电压Vi下低功耗反向散射放大标签负载阻抗的实部,RA表示天线阻抗的实部,表示天线的共轭阻抗;

所述低功耗反向散射放大标签包括电容C1、电容C2、电感L、隧道二极管D,其中,

所述电容C1的一端与所述天线连接,所述电容C1的另一端与所述电感L的一端、所述隧道二极管D的正极连接,所述电感L的另一端与所述电容C2的一端、所述偏置电压切换模块连接,所述电容C2的另一端、所述隧道二极管D的负极均接地。

5.根据权利要求4所述的基于低功耗反向散射放大标签的BPSK调制方法,其特征在于,根据所述若干低功耗反向散射放大标签的散射系数确定第一偏置电压和第二偏置电压包括:

根据所述若干低功耗反向散射放大标签的散射系数计算第一散射增益和第一散射系数相位值;

根据所述若干低功耗反向散射放大标签的散射系数计算第二散射增益和第二散射系数相位值;

响应于所述第一散射增益、所述第二散射增益相等且所述第一散射系数相位值、所述第二散射系数相位值的相位差为180°,以确定所述第一偏置电压和所述第二偏置电压。

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