[发明专利]一种三态接口控制输出电路在审
| 申请号： | 202110153350.1 | 申请日： | 2021-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN112968694A | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 刘亚兵;张庆超;刘海港;张波;花璐;王冲 | 申请（专利权）人： | 中国航空工业集团公司沈阳飞机设计研究所 |
| 主分类号： | H03K19/0175 | 分类号： | H03K19/0175 |
| 代理公司： | 北京航信高科知识产权代理事务所(普通合伙) 11526 | 代理人： | 高原 |
| 地址： | 110035 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 三态 接口 控制 输出 电路 | ||
1.一种三态接口控制输出电路，其特征在于，包括：NMOS晶体管、滤波电容C、第一分压电阻R1、第二分压电阻R2及二极管D；
其中，第一分压电阻R1和第二分压电阻R2串联后一端连接于供电电源、另一端接地；
NMOS晶体管的漏极连接电源、栅极连接控制信号，NMOS晶体管的源级一路经滤波电容后接地，另一路连接至第一分压电阻和第二分压电阻的分压点后，通过二极管D连接被控对象。
2.如权利要求1所述的三态接口控制输出电路，其特征在于，当连接于NMOS晶体管栅极的控制信号为高电平时，NMOS晶体管打开，NMOS晶体管的源极为高电平，NMOS晶体管输出高电平，被控对象采集到高电平信号。
3.如权利要求1所述的三态接口控制输出电路，其特征在于，当连接于NMOS晶体管栅极的控制信号为低电平时，NMOS晶体管关闭，NMOS晶体管输出低电平，经第一分压电阻R1和第二分压电阻R2分压后输出预定电压值的电平信号，被控对象进而采集到预定电压值的电平信号。
4.如权利要求3所述的三态接口控制输出电路，其特征在于，所述预定电平值根据第一分压电阻R1和第二分压电阻R2的阻值确定。
5.如权利要求1所述的三态接口控制输出电路，其特征在于，当连接于NMOS晶体管栅极的控制信号为低电平或高电平，且电路中发生断路时，被控对象始终采集到开路信号。
6.一种三态接口控制输出电路，其特征在于，包括：NMOS晶体管、滤波电容C、限流电阻R0、第一分压电阻R1、第二分压电阻R2及二极管D；
其中，第一分压电阻R1和第二分压电阻R2串联后一端连接于供电电源、另一端接地；
NMOS晶体管的漏极通过限流电阻R0连接电源、栅极连接控制信号，NMOS晶体管的源级一路经滤波电容后接地，另一路连接至第一分压电阻和第二分压电阻的分压点后，通过二极管D连接被控对象。
7.如权利要求6所述的三态接口控制输出电路，其特征在于，当连接于NMOS晶体管栅极的控制信号为高电平时，NMOS晶体管打开，NMOS晶体管的源极为高电平，NMOS晶体管输出高电平，被控对象采集到高电平信号。
8.如权利要求6所述的三态接口控制输出电路，其特征在于，当连接于NMOS晶体管栅极的控制信号为低电平时，NMOS晶体管关闭，NMOS晶体管输出低电平，经第一分压电阻R1和第二分压电阻R2分压后输出预定电压值的电平信号，被控对象进而采集到预定电压值的电平信号。
9.如权利要求8所述的三态接口控制输出电路，其特征在于，所述预定电平值根据第一分压电阻R1和第二分压电阻R2的阻值确定。
10.如权利要求6所述的三态接口控制输出电路，其特征在于，当连接于NMOS晶体管栅极的控制信号为低电平或高电平，且电路中发生断路时，被控对象始终采集到开路信号。
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