[发明专利]一种基于半导体器件的紫外病毒灭活系统在审

专利信息
申请号: 202110132271.2 申请日: 2021-01-31
公开(公告)号: CN113018471A 公开(公告)日: 2021-06-25
发明(设计)人: 刘飞;丁伟;王文秀;程任翔 申请(专利权)人: 金陵科技学院
主分类号: A61L2/10 分类号: A61L2/10;A61L2/24;A61L2/26
代理公司: 南京钟山专利代理有限公司 32252 代理人: 徐博
地址: 211169 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 半导体器件 紫外 病毒 系统
【权利要求书】:

1.一种基于半导体器件的紫外病毒灭活系统,其特征在于:包括紫外光源、紫外监测模块、控制核心和显示及数据处理模块;

所述的紫外光源包括驱动电路和用于产生高能量紫外光子的紫外LED灯;

所述的紫外监测模块用于将紫外光子散射的光信号转换为电压脉冲信号并进行采样;对电压脉冲信号进行放大并和阈值电压比较,输出方形脉冲信号;

所述的控制核心用于输出多路电平分别至紫外光源和紫外监测模块,并采集紫外监测模块输出的方形脉冲信号,同时计数,将计数值输出至显示装置显示;

所述的显示及数据处理模块用于显示控制核心输入的计数值,并将数据处理为紫外剂量的值。

2.如权利要求1所述的一种基于半导体器件的紫外病毒灭活系统,其特征在于:所述的紫外光源还包括调节电阻R3,所述的紫外LED灯正极通过驱动电路连接外接电源,紫外LED灯负极与调节电阻R3一端连接,调节电阻R3另一端接地。

3.如权利要求2所述的一种基于半导体器件的紫外病毒灭活系统,其特征在于:所述的紫外监测模块包括雪崩光电二极管APD、采样电阻RS、淬灭电阻RL、滤波电容C1、可调高压电源、运算放大器和比较器;

所述的雪崩光电二极管APD的N极与淬灭电阻RL一端连接,淬灭电阻RL另一端与可调高压电源的输出端连接,淬灭电阻RL另一端与滤波电容C1正极连接,滤波电容C1负极接地;

所述的可调高压电源与控制核心控制连接,所述的可调高压电源的电源输入端与外接电源连接;

所述的雪崩光电二极管APD的P极与采样电阻RS一端连接,采样电阻RS另一端接地,雪崩光电二极管APD的P极与运算放大器的同相输入端连接,运算放大器的反向输入端并连电阻R1和电阻R2,电阻R1另一端串联采样电阻RS,电阻R2另一端和运算放大器的输出端连接,运算放大器的输出端与比较器的同相输入端连接,比较器的同相输入端与控制核心连接,所述的比较器的反相输入端用于接收阈值电压;比较器的输出端与控制核心信号连接。

4.如权利要求3所述的一种基于半导体器件的紫外病毒灭活系统,其特征在于:所述的控制核心包括数据处理模块、WIFI信号模块和多路电压输出模块,所述的多路电压输出模块用于为可调高压电源提供控制电压,所述的多路电压输出模块还用于为比较器的反相输入端提供阈值电压;所述的数据处理模块用于接收比较器输出端的电压脉冲信号,所述的数据处理模块与WIFI信号模块信号连接,所述的WIFI信号模块与显示及数据处理模块无线信号连接。

5.如权利要求4所述的一种基于半导体器件的紫外病毒灭活系统,其特征在于:所述的显示及数据处理模块包括但不限于计算机、移动手机、平板电脑。

6.如权利要求2所述的一种基于半导体器件的紫外病毒灭活系统,其特征在于:所述的紫外LED灯采用波长254nm的紫外灯。

7.如权利要求3所述的一种基于半导体器件的紫外病毒灭活系统,其特征在于:所述的比较器采用AD86111型号,所述运算放大器采用OPA354型号。

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