[发明专利]AEI沸石合成

权利要求书

1.一种沸石合成方法，其包括：

由AEI合成过程形成AEI沸石反应混合物，其包含母液或其部分，其中该母液或其部分包含AEI结构导向剂；和

在结晶条件下使该混合物反应，来形成一个批量的具有AEI骨架的沸石晶体和后成母液。

2.根据权利要求1所述的沸石合成方法，其进一步包括：

将该具有AEI骨架的沸石晶体与该后成母液分离；和

使用该后成母液或其一部分来合成一个或多个顺序批量的具有AEI骨架的沸石晶体。

3.根据权利要求2所述的沸石合成方法，其中使用该后成母液或其一部分来合成X个顺序批量的具有AEI骨架的沸石晶体，和其中X是整数，其值有效地产生按二氧化硅计至少约60％的总相对产率和/或按结构导向剂计至少约40％的总相对产率。

4.根据权利要求3所述的沸石合成方法，其中X是1-20。

5.根据权利要求1所述的沸石合成方法，其中该结构导向剂是环状或多环季铵阳离子。

6.根据权利要求5所述的沸石合成方法，其中该结构导向剂是选自以下的一种或多种阳离子：N,N-二甲基-3,5-二甲基哌啶鎓、N,N-二甲基-2-(2-羟乙基)哌啶鎓、N,N-二甲基-2-乙基哌啶鎓和2,2,4,6,6-五甲基-2-氮杂二环[3.2.1]辛烷。

7.根据权利要求1所述的沸石合成方法，其中该结构导向剂是N,N-二甲基-3,5-二甲基哌啶鎓阳离子。

8.根据权利要求1所述的沸石合成方法，其中该混合物进一步包含二氧化硅源、氧化铝源和氢氧根离子源。

9.根据权利要求1所述的沸石合成方法，其中在一系列顺序AEI沸石合成批量反应中使用母液或其一部分得到按二氧化硅计至少约60％的总相对产率和/或按结构导向剂计至少约40％的总相对产率。

10.根据权利要求9所述的沸石合成方法，其中按二氧化硅计的总相对产率为至少75％。

11.根据权利要求9所述的沸石合成方法，其中按二氧化硅计的总相对产率为至少90％。

12.根据权利要求9所述的沸石合成方法，其中按结构导向剂计的总相对产率为至少60％。

13.根据权利要求9所述的沸石合成方法，其中按结构导向剂计的总相对产率为至少80％。

14.一种在AEI沸石合成过程中实现按二氧化硅计的高总相对产率的方法，其包括：

a.制备混合物，其包含(a)至少一种铝源，(b)至少一种二氧化硅源，(c)至少一种氢氧根离子源，和(d)AEI结构化导向剂(SDA)；和

b.使该混合物在结晶条件下反应，来形成具有AEI骨架并且二氧化硅与氧化铝之比(SAR)为约8-约50的沸石晶体，以及母液，其中该反应得到按二氧化硅计至少约60％的总相对产率。

15.根据权利要求13所述的方法，其中该混合物基本上不含氟、氟离子和含氟化合物。

16.一种组合物，其包含铝硅酸盐AEI沸石晶体，该晶体的平均长径比(L/D)小于或等于约3。

17.根据权利要求16所述的组合物，其中该铝硅酸盐沸石的二氧化硅与氧化铝之比为约15-约35。

18.根据权利要求17所述的组合物，其中该铝硅酸盐沸石包含一种或多种过渡金属的合成后交换的离子。