[发明专利]手性对称结构超表面圆偏振光检测元件及其制备方法

权利要求书

1.一种手性对称结构超表面圆偏振光检测元件，其特征在于，包括透光基底和位于该透光基底上的介质结构层，所述介质结构层由刻蚀形成的旋转对称手性结构单元阵列组成，每个旋转对称手性结构单元包括两个刻蚀凹陷的半圆柱，且两个半圆柱沿着半圆柱面在直径方向错位构成旋转对称图形。

2.根据权利要求1所述的超表面圆偏振光检测元件，其特征在于，所述的旋转对称手性结构单元由两个等大的半圆柱构成，半圆柱的周期P为0.91-0.92μm，刻蚀深度H的变化范围为0.21～0.22μm，圆柱的底面半径R的范围为0.23μm，两半圆柱圆心距L为0.33-0.36μm。

3.根据权利要求1所述的超表面圆偏振光检测元件，其特征在于，各个旋转对称手性介质结构单元之间等间隔排列。

4.根据权利要求1-3任一所述的超表面圆偏振光检测元件，其特征在于，所述的透光基底的材料为二氧化硅，所述的介质结构层的材料为硅、锗或砷化镓半导体材料。

5.根据权利要求1-3任一所述的超表面圆偏振光检测元件，其特征在于，所述的旋转对称手性介质结构单元的刻蚀深度和所述介质结构层的厚度一致。

6.一种超表面圆偏振光检测元件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)利用化学气相沉积法在透光基底上生长需要的介质结构层；

(2)在所述的介质结构层上旋涂一层光刻胶负胶；

(3)制作对应掩模版，利用电子束曝光显影技术对光刻胶进行曝光；

(4)利用反应离子束工艺刻蚀介质结构层，得到旋转对称手性结构单元阵列，清洗残余光刻胶后得到超表面圆偏振光检测元件。