[发明专利]一种铪铌基三元固溶体硼化物的导电陶瓷及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种铪铌基三元固溶体硼化物的导电陶瓷的制备方法，其特征在于，包括如下具体步骤：

S1. 将HfO₂，Nb，Me氧化物ZrO₂或TiO₂，B₄C，碳粉加入溶剂和球磨介质，在球磨机上混合20~40h，干燥后得混合粉体；所述HfO₂、ZrO₂和TiO₂的纯度均为99.0~99.9wt%，粒径均为0.1~10µm；所述Nb的纯度为95~99wt%，粒径为10~20µm；B₄C和碳粉的纯度均为97~99.99 wt.%，粒径均为1~1.5 µm；

S2. 将混合粉体模压后的坯体放入石墨坩埚中，以5~15℃/min的速率升温至1400~1600℃保温0.5~2h，真空热处理获得(Hf_aNb_bMe_c)B₂铪铌基三元固溶体硼化物粉体；所述(Hf_aNb_bMe_c)B₂铪铌基三元固溶体硼化物粉末的纯度95~99.9wt%，粒径为2~7µm；所述(Hf_aNb_bMe_c)B₂铪铌基三元固溶体硼化物粉体的氧含量为0.01~5wt%，碳含量为0.01~5wt%；

S3. (Hf_aNb_bMe_c)B₂铪铌基三元固溶体硼化物粉体放入石墨模具中，采用放电等离子烧结以100~400℃/min的速率升温至1000~1400℃时充入保护气氛，再以100~400℃/min的速率升温至1900~2100℃，保温10~30min，加压10~100MPa煅烧，制得(Hf_aNb_bMe_c)B₂铪铌基三元固溶体硼化物的导电陶瓷；所述导电陶瓷的分子式为(Hf_aNb_bMe_c)B₂，其中，0.1≤a≤0.9，0b0.9，0c0.9且a+b+c=1；Me为Zr或Ti；所述铪铌基三元固溶体硼化物陶瓷的相对密度为96~98%，硬度为28~30GPa，电阻率为1~3Ω。

2.根据权利要求1所述的铪铌基三元固溶体硼化物的导电陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤S1中所述溶剂为乙醇、丙醇、甲醇或丙酮。

3.根据权利要求1所述的铪铌基三元固溶体硼化物的导电陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤S3中所述保护气氛为N₂或Ar。

4.一种铪铌基三元固溶体硼化物的导电陶瓷，其特征在于，所述导电陶瓷是由权利要求1-3任一项所述的方法制备得到。

5.权利要求4所述的铪铌基三元固溶体硼化物的导电陶瓷在电子零部件领域中的应用。