[发明专利]一种纯相尖晶石Co3

权利要求书

1.一种纯相尖晶石Co₃O₄多级纳米片软模板制备方法，其特征在于：所述方法具体包括如下步骤：

(1)将可溶性钴盐、尿素和十二烷基硫酸钠混合，加入去离子水，混匀，将所得混合物转移至油浴锅中，加热至120℃恒温回流搅拌反应4h，反应结束后，得到浅蓝色溶液，将所得浅蓝色溶液趁热过滤，洗涤，干燥，得到蓝色固体，即Co₃O₄多级纳米片前驱体；

(2)将步骤(1)所得蓝色固体转移至坩埚中，然后将装有蓝色固体的坩埚置于电阻炉炉腔中，加热升温至400℃恒温煅烧2h，反应结束后，冷却至室温，得到黑色固体，即所述的纯相尖晶石Co₃O₄多级纳米片。

2.根据权利要求1所述的纯相尖晶石Co₃O₄多级纳米片软模板制备方法，其特征在于：步骤(1)中所述可溶性钴盐为氯化钴、硫酸钴、硝酸钴、六水氯化钴、七水硫酸钴、六水硝酸钴中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的纯相尖晶石Co₃O₄多级纳米片软模板制备方法，其特征在于：步骤(1)中所述可溶性钴盐、尿素和十二烷基硫酸钠加入量配比为2.4mmol：8.4mmol：12mmol。

4.根据权利要求1所述的纯相尖晶石Co₃O₄多级纳米片软模板制备方法，其特征在于：步骤(1)中所述Co₃O₄多级纳米片前驱体，呈片状组装而成的纳米花结构，所述纳米花的直径约为500-600nm，花片厚度为20-40nm，花孔直径为200-250nm。

5.根据权利要求1所述的纯相尖晶石Co₃O₄多级纳米片软模板制备方法，其特征在于：步骤(2)中，Co₃O₄多级纳米片中纳米花直径约为500-600nm，花片厚度为30-50nm。

6.权利要求1-5任一项所述的纯相尖晶石Co₃O₄多级纳米片软模板制备方法制备得到的纯相尖晶石Co₃O₄多级纳米片。

7.权利要求1-5任一项所述软模板制备方法制备得到的纯相尖晶石Co₃O₄多级纳米片作为阳极活性材料在超级电容器中的应用。

8.一种超级电容器阳极材料，所述阳极材料由阳极活性材料和粘接剂组成，其特征在于：所述阳极活性材料为权利要求1-5任一项所述软模板制备方法制备得到的纯相尖晶石Co₃O₄多级纳米片或权利要求6所述的纯相尖晶石Co₃O₄多级纳米片。

9.一种超级电容器阳极，该阳极包括集流体及涂覆和/或填充于集流体上的阳极材料，其特征在于：所述阳极材料为权利要求8所述的超级电容器阳极材料。

10.一种超级电容器，包括阳极、阴极、设置于阴阳极之间的隔膜、电解液及壳体，其特征在于：所述阳极为权利要求9所述的超级电容器阳极。