[发明专利]一种无线高精度高压可控硅温度检测装置

权利要求书

1.一种无线高精度高压可控硅温度检测装置，其特征在于，包括热电偶、温度采集处理模块、无线发送模块、无线接收模块、取能供电模块及主控模块；

热电偶与可控硅相接触，热电偶的输出端连接温度采集处理模块，温度采集处理模块通过无线发送模块与无线接收模块无线通信连接，无线接收模块连接主控模块；

取能供电模块的输入端连接可控硅的两端，取能供电模块的输出端分别连接温度采集处理模块及无线发送模块，取能供电模块用于从可控硅的两端取能并对温度采集处理模块及无线发送模块供电。

2.如权利要求1所述的无线高精度高压可控硅温度检测装置，其特征在于，温度采集处理模块包括信号调理电路、冷端补偿电路、AD转换电路及单片机；

热电偶的输出端依次经信号调理电路、AD转换电路连接单片机；

冷端补偿电路的输出端经AD转换电路连接单片机，冷端补偿电路用于检测环境温度，单片机用于根据冷端补偿电路的输出对热电偶的输出进行补偿。

3.如权利要求2所述的无线高精度高压可控硅温度检测装置，其特征在于，信号调理电路包括运算放大器U1～U2、电阻R1～R6；

热电偶的输出端经电阻R1连接运算放大器U1的反相端，运算放大器U1的反相端还经电阻R2连接运算放大器U1的输出端，运算放大器U1的同相端经电阻R3接地，运算放大器U1的输出端还经电阻R4连接运算放大器U2的反相端，运算放大器U2的反相端还经电阻R5连接运算放大器U2的输出端，运算放大器U2的同相端经电阻R6接地，运算放大器U2的输出端还连接AD转换电路。

4.如权利要求3所述的无线高精度高压可控硅温度检测装置，其特征在于，电阻R1与电阻R2并联的阻值与电阻R3的阻值相同，电阻R4与电阻R5并联的阻值与电阻R6的阻值相同。

5.如权利要求4所述的无线高精度高压可控硅温度检测装置，其特征在于，信号调理电路满足：Ui＝16.3017Uo1-1.2603；Ui为信号调理电路的输入，单位为mV；Uo1为信号调理电路的输出，单位为V。

6.如权利要求2所述的无线高精度高压可控硅温度检测装置，其特征在于，冷端补偿电路包括差分放大器、电阻R7～R9及铂热电阻R14；

取能供电模块的输出经转化后依次经电阻R7、电阻R8接地以及依次经电阻R9、铂热电阻R14接地，电阻R7、电阻R8的公共端连接差分放大器的反相端，电阻R9、铂热电阻R14的公共端连接差分放大器的同相端，差分放大器的输出端连接AD转换电路。

7.如权利要求6所述的无线高精度高压可控硅温度检测装置，其特征在于，冷端补偿电路满足：T＝33.6080Uo2-76.8451；T为环境温度，Uo2为冷端补偿电路的输出。

8.如权利要求1所述的无线高精度高压可控硅温度检测装置，其特征在于，取能供电模块包括取能电路及DC/DC转换电路，取能电路的输入端连接可控硅的两端，取能电路的输出端经DC/DC转换电路分别连接温度采集处理模块及无线发送模块。

9.如权利要求8所述的无线高精度高压可控硅温度检测装置，其特征在于，DC/DC转换电路包括开关管S1、二极管D1～D4、电感L1～L2及电容C1～C2；

取能电路的输出端正极依次经开关管S1的漏极、开关管S1的源极、电感L1连接负载，开关管S1的源极依次经二极管D4的负极、二极管D4的正极接地，开关管S1的源极还依次经反向串联的二极管D1、二极管D2、二极管D3接地，二极管D1、二极管D2的公共端经电容C1连接开关管S1的漏极，二极管D2、二极管D3的公共端依次经电容C2、电感L2连接开关管S1的源极。