[发明专利]形成半导体器件和电路的方法在审
申请号: | 202110052910.4 | 申请日: | 2021-01-15 |
公开(公告)号: | CN113342101A | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | M·波泽姆尼 | 申请(专利权)人: | 半导体组件工业公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 彭晓文 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 形成 半导体器件 电路 方法 | ||
1.一种用于形成负载的输出电压的电压电路,所述电压电路包括:
控制电路,所述控制电路被配置为形成参考电压,其中所述控制电路不接收表示由所述电压电路提供给所述负载的所述输出电压或输出电流中的任一者的信号;
输出晶体管,所述输出晶体管传导所述输出电流并形成所述输出电压;
跨导放大器,所述跨导放大器形成输出信号,所述输出信号响应于所述输出电压和所述参考电压之间的差值而变化;和
输出电路,所述输出电路具有串联耦接在所述控制电路和所述输出晶体管之间的电阻器,以形成所述输出晶体管的栅极电压的第一电压,其中所述电阻器还接收所述输出信号并根据所述输出信号改变所述第一电压。
2.根据权利要求1所述的电压电路,其中所述跨导放大器接收表示所述输出电压的第一信号,并且接收表示所述参考电压的第二信号,并且响应地形成所述输出信号。
3.根据权利要求1所述的电压电路,其中所述电阻器具有第一端子,所述第一端子被耦接以从所述控制电路接收控制电压,所述电阻器具有第二端子,所述第二端子接收表示所述输出信号的信号,其中所述输出电路包括第一缓冲器,所述第一缓冲器耦接到所述电阻器的所述第二端子并将所述栅极电压施加到所述输出晶体管,并且其中所述输出电路包括第二缓冲器,所述第二缓冲器从所述控制电路接收所述控制电压并将代表性信号施加到所述电阻器的所述第二端子。
4.一种形成用于向负载提供输出电压和输出电流的电压电路的方法,所述方法包括:
耦接输出晶体管以将所述输出电流传导到所述负载并形成所述输出电压;
将控制电路配置为形成参考信号,其中所述控制电路不接收表示所述输出电压的信号;以及
将输出电路配置为形成响应于所述输出电压和所述参考信号之间的差值而变化的调整信号,并且根据所述调整信号来改变所述输出晶体管的栅极电压。
5.根据权利要求4所述的方法,其中将所述控制电路配置为形成所述参考信号包括耦接运算放大器以接收所述参考信号并接收来自参考生成电路的参考电压,所述运算放大器被配置为控制参考晶体管以形成所述参考信号。
6.根据权利要求4所述的方法,其中配置所述输出电路包括配置所述输出电路以形成基本上恒定且基本上不响应于所述输出电压而变化的第一信号,并且将所述第一信号与所述调整信号组合。
7.根据权利要求6所述的方法,还包括配置所述输出电路以对所述调整信号和所述第一信号求和。
8.一种具有用于形成输出电压的调节器电路的半导体器件,所述调节器电路包括:
参考电路,所述参考电路被配置为形成基本上不响应于所述输出电压而变化的参考信号,所述参考电路还被配置为形成表示所述参考信号的变化的控制信号;
输出晶体管,所述输出晶体管被配置为将输出电流传导到负载并控制所述输出电压;和
输出电路,所述输出电路被配置为根据所述控制信号形成所述输出晶体管的控制电极的值,并且其中所述输出电路被配置为根据所述输出电压与所述参考信号之间的差值来改变所述控制电极的值。
9.根据权利要求8所述的半导体器件,其中所述参考电路包括形成控制信号的运算放大器,所述控制信号表示所述参考信号的变化,所述参考电路包括晶体管,其中所述参考电路根据所述控制信号控制所述晶体管的栅极电压。
10.根据权利要求8所述的半导体器件,其中所述参考电路不接收表示所述输出电压或所述输出电流的信号。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于半导体组件工业公司,未经半导体组件工业公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110052910.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。