[发明专利]一种修正氧化孔径的方法

权利要求书

1.一种修正氧化孔径的方法，氧化孔未经修正直接氧化后在(110)晶面方向的俯视图类椭圆形，其特征在于，所述方法包括：

在侧向氧化之前，对圆形台面结构的晶面快速氧化方向上的侧壁进行镀膜、沉积或保留原来外延材料形成扩散障碍层，补偿修正侧壁各方向氧化速率的差异，补偿修正方式为在圆柱平台周围设置外围形成椭圆柱体的扩散障碍层，而扩散障碍层的长轴方位即为未经修正的孔径的短轴方位；

对已具有扩散障碍层的台面结构侧壁进行扩散及氧化，形成氧化孔。

2.根据权利要求1所述的一种修正氧化孔径的方法，其特征在于，所述晶面为(110)晶面偏角15度以内的晶面。

3.根据权利要求1所述的一种修正氧化孔径的方法，其特征在于，所述圆形台面结构及氧化层区域的外圆的半径为R，理想目标氧化孔径的期待半径为r，未经修正直接氧化的类椭圆氧化孔在短轴的长度为2a，未经修正直接氧化的类椭圆氧化孔在短轴的长度为2b，扩散障碍层设置在未经修正氧化孔径的短轴方位包含原圆柱形台面的总长度为2R_a，扩散障碍层在原长轴方位的长度为2R_b，K_d为水汽在扩散障碍层内的扩散系数，K_o为水汽在半导体氧化层内的扩散系数，其中，d、a、b、R_a、R_b、R和r满足：

(R-a)/(R_b)≈1+(d/K_d)/[(R-r)/K_o]，

其中，R_a＝R+d，b≡r，R_b≡R；d＝(b-a)*K_d/K_o。

4.根据权利要求3所述的一种修正氧化孔径的方法，其特征在于，其中，R与r之间的关系满足：1＜R/r＜＝5，r≤10um。

5.根据权利要求4所述的一种修正氧化孔径的方法，其特征在于，所述扩散障碍层外轮廓与未经修正直接氧化的类椭圆氧化孔具备相同几何中心。

6.根据权利要求1所述的一种修正氧化孔径的方法，其特征在于，所述圆形台面结构利用光刻工艺定义障碍层区域，并经由镀膜工艺及刻蚀工艺形成。

7.根据权利要求1所述的一种修正氧化孔径的方法，其特征在于，所述扩散障碍层的材料包括GaAs、AlGaAs、Ga₂O₃、Al₂O₃、AlN、BN、Si₃N₄、SiO₂、ZrO₂、BCB、PI、SiLK^TM、HSQ、MSQ、HOSP^TM、Black中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的一种修正氧化孔径的方法，其特征在于，形成所述扩散障碍层的方法，包含但不限于CVD、ALD、PECVD、MOCVD、Sputtering、Spin-Coating。