[发明专利]一种DC-DC过零点检测电路及控制方法在审

专利信息
申请号: 202110036503.4 申请日: 2021-01-12
公开(公告)号: CN112798854A 公开(公告)日: 2021-05-14
发明(设计)人: 边疆;黄鑫;张适;谢瑞 申请(专利权)人: 西安拓尔微电子有限责任公司
主分类号: G01R19/175 分类号: G01R19/175
代理公司: 西北工业大学专利中心 61204 代理人: 金凤
地址: 710000 陕西省西安市高新*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 dc 零点 检测 电路 控制 方法
【权利要求书】:

1.一种DC-DC过零点检测电路,包括电流源IDC1和IDC2,电阻R1和R2,反相器INV1,P沟道增强型MOS管PM1,N沟道增强型MOS管NM1、NM2、NM3,比较器预放大级Pre_amp,锁存和缓冲模块Latch_Buffer,电源端口VDD,模式控制端口MODE,地端口GND,开关结点LX和输出端口OZD,其特征在于:

所述VDD端口连接外部供电电源,所述MODE端口连接外部模式控制信号,GND端口连接地电位;

所述电流源IDC1的一端与VDD连接,另一端与PM1的源极连接;所述电流源IDC2的一端与VDD连接,另一端与NM3的漏极和比较器预放大级输入比较信号端连接,IDC1与IDC2为偏置电路,为比较器提供比较电压;

所述电阻R1的一端与VDD连接,另一端与NM2栅极连接;所述电阻R2的一端与VDD连接,另一端与NM3栅极连接;

所述反相器INV1的输入端接MODE,输出端分别接PM1和NM1的栅极;

所述PM1的栅极连接NM1栅极和INV1输出端,源极接IDC1一端,漏极接NM1漏极、NM2漏极和Pre_amp输入端;所述NM1的栅极连接PM1栅极和INV1输出端,源极接GND,漏极接PM1漏极和Pre_amp输入端;

NM2的栅极接电阻R1的一端,源极接GND,漏极接NM1漏极、NM2漏极和Pre_amp输入端;NM3的栅极接电阻R2的一端,源极接LX端口,漏极与电流源IDC2的一端和Pre_amp输入端连接;Pre_amp比较输入端与电流源IDC2的一端、NM2和NM3的漏极、PM1和NM1的漏极连接,输出端与锁存和缓冲电路Latch_Buffer连接,锁存和缓冲电路Latch_Buffer输入端与预放大输出端连接,输出端是OZD过零信号端口。

2.一种利用权利要求1所述DC-DC过零点检测电路的控制方法,其特征在于包括下述步骤:

当模式控制信号Mode=0时,NM1管开启,比较器预放大模块Pre_amp的参考端的参考电压为0,带着电感电流信息的来自功率管的开关结点信号LX通过有源电阻NM3与参考电压相比较,通过比较器的预放大作用和锁存电路以及缓冲器产生过零检测信号;

当模式控制信号Mode=1时,PM1管开启,通过电流源IDC1充电,在有源电阻NM2上建立起另外一个参考电压,带着电感电流信息的来自功率管的开关结点信号LX通过有源电阻NM3与参考电压相比较,通过比较器的预放大作用和锁存电路以及缓冲器产生过零检测信号。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安拓尔微电子有限责任公司,未经西安拓尔微电子有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110036503.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top