[发明专利]混合绝缘墨水、绝缘薄膜和柔性薄膜晶体管及制备方法在审

专利信息
申请号: 202110034793.9 申请日: 2021-01-11
公开(公告)号: CN112795241A 公开(公告)日: 2021-05-14
发明(设计)人: 蔡炜;郑喜凤;汪洋;曹慧;毛新越;王铂;邢繁洋;张庆凯;马宝真;张朝志 申请(专利权)人: 季华实验室
主分类号: C09D11/30 分类号: C09D11/30;C09D11/36;H01L29/51;H01L29/786;H01L21/336
代理公司: 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 代理人: 陈志超;罗尹清
地址: 528200 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 混合 绝缘 墨水 薄膜 柔性 薄膜晶体管 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种混合绝缘墨水,其特征在于,按质量百分比计算,所述混合绝缘墨水包括如下组分:

锆盐8-15%、有机掺杂材料0.4-1%、溶剂余量;

所述锆盐为八水合氧氯化锆;

所述有机掺杂材料为聚乙烯吡咯烷酮;

所述溶剂为乙二醇。

2.根据权利要求1所述的混合绝缘墨水,其特征在于,所述有机掺杂材料的用量为0.4-0.8%。

3.一种如权利要求1~2任一所述的混合绝缘墨水的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

将锆盐、有机掺杂材料混合,加溶剂搅拌均匀,得到溶液;

将溶液搅拌后进行过滤;

将溶液静置12h以上,得到混合绝缘墨水。

4.根据权利要求3所述的混合绝缘墨水的制备方法,其特征在于,搅拌过程为在100-200r/min条件下搅拌1-1 .5h;

过滤过程为经0.45μm PVDF滤头过滤。

5.一种绝缘薄膜,其特征在于,所述绝缘薄膜采用如权利要求1~2任一所述的混合绝缘墨水制备而成。

6.一种如权利要求5所述的绝缘薄膜层的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

选择墨滴间距25~35μm,印刷次数为2次,将所述混合绝缘墨水打印到衬底上;

先30℃-40℃退火2-8min,接着200-250℃退火40min以上。

7.一种柔性薄膜晶体管,其特征在于,所述柔性薄膜晶体管包括绝缘薄膜层,所述绝缘薄膜层采用如权利要求1~2任一所述的混合绝缘墨水制备而成。

8.根据权利要求7所述的柔性薄膜晶体管,其特征在于,由下至上依次包括柔性衬底、缓冲层、Al栅电极、绝缘薄膜层、半导体层、Al源漏电极。

9.根据权利要求8所述的柔性薄膜晶体管,其特征在于,所述柔性衬底为1-10μm厚的聚酰亚胺薄膜;

所述缓冲层为氧化硅或氮化硅,厚度为200-300nm;

所述Al栅电极的厚度为100-150nm;

所述半导体层为8-20nm厚的IGZO有源层;

所述Al源漏电极的厚度为100-150nm。

10.一种如权利要求8~9任一所述的柔性薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

在0.7-1mm厚洁净无碱玻璃上旋涂聚酰亚胺薄膜,作为柔性衬底;

柔性衬底上采用磁控溅射制备缓冲层;

在缓冲层上采用磁控溅射制备Al栅电极;

选择墨滴间距25~35μm,印刷次数为2次,将混合绝缘墨水打印到带有Al栅电极上,先30℃-40℃退火2-8min,接着200-250℃退火40min以上,形成绝缘薄膜层;

在绝缘薄膜层上溅射半导体层;

在半导体层上溅射Al源漏电极,并将器件置于150-250℃退火40min以上;

将柔性衬底连同上部其他器件整体从玻璃上剥离,得到柔性薄膜晶体管。

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