[发明专利]一种双断口自均压真空灭弧室

权利要求书

1.一种自均压双断口真空灭弧室，其主要特征在于包括上下侧真空灭弧室VI1和VI2、上下端圆筒形陶瓷电容器、上下端外部屏蔽罩、中间屏蔽罩、固定绝缘材料、中间法兰、环氧树脂等，上述部件通过固封、焊接等实现，其中真空灭弧室可选用72.5kV以上电压等级，上下端真空灭弧室静端盖串联固定于中间法兰上，上下端圆筒形陶瓷电容器采用BN 302等高介电常数陶瓷材料，内表面电极与中间屏蔽罩连接，外表面电极与上下端外部屏蔽罩连接，中间屏蔽罩固定于中间法兰上，上述圆筒形陶瓷电容器通过固体绝缘固定于外部屏蔽罩和中间屏蔽罩之间，屏蔽罩可以有效改善外部电场分布均匀性，减小断口对地杂散电容，实现比传统外部并联均压电容更好的均压效果。

2.如权利要求1所述的一种自均压双断口真空灭弧室，其特征在于：两个真空灭弧室VI1、VI2静端盖通过中间法兰连接，可采用两个72.5kV真空灭弧室可实现145kV电压等级开断，采用两个126kV灭弧室可以实现252kV电压等级开断。

3.如权利要求1所述的一种自均压双断口真空灭弧室，其特征在于：上下端圆筒形陶瓷电容器可采用陶瓷介质材料，如：BN 302、Y5P、CH、BT等陶瓷材料，高度为20～50mm，厚度为20～80mm，介电常数在1000～5000之间，电容值为500～10000pF。

4.如权利要求1所述的一种自均压双断口真空灭弧室，其特征在于：采用上下端圆筒形陶瓷电容器通过上下端外部屏蔽罩和中间屏蔽罩并联于VI1、VI2两端，VI1、VI2并联的均压电容值为500～10000pF，上端圆筒形陶瓷电容器连接于上端外部屏蔽罩与中间屏蔽罩重叠区域，下端圆筒形陶瓷电容器连接于下端外部屏蔽罩与中间屏蔽罩重叠区域，实现VI1、VI2的均压控制。

5.如权利要求1所述的一种自均压双断口真空灭弧室，其特征在于：上下端外部屏蔽罩采用焊接方式于VI1、VI2的动端盖处进行连接，且上下端外部屏蔽罩长度40mm-100mm，半径100-160mm，且上下端外部屏蔽罩拐角处都设有5mm倒圆角以便于使电场分布更加均匀，且在上下端外部屏蔽罩末端处都采用倒圆角进行电场强度的优化。

6.如权利要求1所述的一种自均压双断口真空灭弧室，其特征在于：中间屏蔽罩与中间法兰焊接，通过中间法兰与VI1、VI2静端盖相连接，减少了断口对地杂散电容，使得双断口断路器电压分布不均匀度降低，且需要并联较小的均压电容。

7.如权利要求1所述的一种自均压双断口真空灭弧室，其特征在于：上下端外部屏蔽罩和中间屏蔽罩均采用铜或铝材料，可以改善外部电场分布，进而提高外部绝缘强度，在上下端部外部屏蔽罩上均匀分布多个通气孔，大小为5～10mm，便于绝缘气体的流通，增大绝缘能力，提高耐压水平，同时满足运行工况温升要求，且在中间法兰同样来由对流孔以便于气体对流。

8.如权利要求1所述的一种双断口自均压真空灭弧室，其特征在于：上端圆筒形陶瓷电容器外电极与上端外部屏蔽罩连接，上端圆筒形陶瓷电容器的内电极与中间屏蔽罩连接，下端圆筒形陶瓷电容器的外电极与下端外部屏蔽罩连接，下端圆筒形陶瓷电容器的内电极与中间屏蔽罩连接，上下端圆筒形陶瓷电容器通过环氧树脂进行固封，如此实现上下端圆筒形陶瓷电容器的并联于双断口真空灭弧室的两侧作为真空灭弧室的均压电容，使得双断口真空断路器实现两个断口电压均匀分布。