[发明专利]一种应用于SPAD的信号读取电路在审

专利信息
申请号: 202110009264.3 申请日: 2021-01-05
公开(公告)号: CN114727040A 公开(公告)日: 2022-07-08
发明(设计)人: 沈寒冰;吴俊辉;濮国亮 申请(专利权)人: 苏州超锐微电子有限公司
主分类号: H04N5/378 分类号: H04N5/378
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215011 江苏省苏州市高*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 应用于 spad 信号 读取 电路
【权利要求书】:

1.一种应用于SPAD的信号读取电路,所述电路的特征在于:该技术所用的电路架构包括一个存储电路模块和一个读出电路模块,存储电路模块由一个电容和三个MOS管组成,读出电路模块由一个选择MOS管组成,其特征还包括具体分以下三个阶段:

(1)复位阶段:在进行光信号探测前,偏置Vrst电压,使得MOS管M3导通,偏置Vbias电压,使得MOS管M2关断,将电容Cap充电至电源电压值VDD;

(2)光信号存储阶段:偏置Vrst电压,使得MOS管M3关断,偏置Vbias电压,使得MOS管M2导通,SPAD开始进行光电子探测,当SPAD探测到一个光子信号后,整形电路输出一个高压脉冲信号Vh,使得MOS管M1导通,对电容Cap进行放电,

当SPAD没有探测到光子信号时,整形电路输出低电平信号,MOS管M1关断,电容放电回路被切断,维持现有电位;

(3)信号读出阶段:偏置MOS管M4电压Vsel,使得MOS管M4导通,最终的输出电压信号Vout即为电容Cap的电位,从而实现对信号的读出。

2.根据权利要求1所述的一种应用于SPAD的信号读取电路,其特征在于:所述SPAD阵列单元像素的Vrst电压、Vbias电压同时施加相同的电压。

3.根据权利要求1所述的一种应用于SPAD的信号读取电路,其特征在于:光信号被存储于电容Cap之中,光信号的强度与电容的端电位变化成线性关系。

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