[发明专利]一种应用于SPAD的信号读取电路在审
申请号: | 202110009264.3 | 申请日: | 2021-01-05 |
公开(公告)号: | CN114727040A | 公开(公告)日: | 2022-07-08 |
发明(设计)人: | 沈寒冰;吴俊辉;濮国亮 | 申请(专利权)人: | 苏州超锐微电子有限公司 |
主分类号: | H04N5/378 | 分类号: | H04N5/378 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215011 江苏省苏州市高*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 应用于 spad 信号 读取 电路 | ||
1.一种应用于SPAD的信号读取电路,所述电路的特征在于:该技术所用的电路架构包括一个存储电路模块和一个读出电路模块,存储电路模块由一个电容和三个MOS管组成,读出电路模块由一个选择MOS管组成,其特征还包括具体分以下三个阶段:
(1)复位阶段:在进行光信号探测前,偏置Vrst电压,使得MOS管M3导通,偏置Vbias电压,使得MOS管M2关断,将电容Cap充电至电源电压值VDD;
(2)光信号存储阶段:偏置Vrst电压,使得MOS管M3关断,偏置Vbias电压,使得MOS管M2导通,SPAD开始进行光电子探测,当SPAD探测到一个光子信号后,整形电路输出一个高压脉冲信号Vh,使得MOS管M1导通,对电容Cap进行放电,
当SPAD没有探测到光子信号时,整形电路输出低电平信号,MOS管M1关断,电容放电回路被切断,维持现有电位;
(3)信号读出阶段:偏置MOS管M4电压Vsel,使得MOS管M4导通,最终的输出电压信号Vout即为电容Cap的电位,从而实现对信号的读出。
2.根据权利要求1所述的一种应用于SPAD的信号读取电路,其特征在于:所述SPAD阵列单元像素的Vrst电压、Vbias电压同时施加相同的电压。
3.根据权利要求1所述的一种应用于SPAD的信号读取电路,其特征在于:光信号被存储于电容Cap之中,光信号的强度与电容的端电位变化成线性关系。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州超锐微电子有限公司,未经苏州超锐微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110009264.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。