[发明专利]双模射频识别器件

说明书

双模射频识别(RFID)器件被设置成具有一种集成式双模射频识别连接带，所述集成式双模射频识别连接带包括：超高频/高频(UHF/HF)双模射频识别芯片，或者超高频射频识别芯片与高频射频识别芯片的组合。高频(HF)天线和超高频(UHF)天线都耦合到所述集成式双模射频识别连接带，所述超高频天线通过蚀刻以外的方法形成，比如切割或印制操作，从而降低了制造所述器件的成本。如果采用一对芯片，则所述一对芯片之中的一个芯片可比另一个芯片具有更大厚度，这使得该较厚芯片可在该较薄芯片之后被整合到所述器件中，而无需因固定所述芯片所用的热极的尺寸而设置的、在所述两个芯片之间的最小间隔。此外，可在固定所述第二芯片之前测试所述第一芯片，从而限制被摒弃器件的成本。

相关申请的交叉引用

本申请要求享有在2019年12月28日提交的美国临时专利申请号62/954,455的权益，该美国临时专利申请的全部内容通过引用纳入本文。

技术领域

本发明涉及双模(dual-mode)射频识别(“RFID”)器件。更具体地，本发明涉及制造双模射频识别器件的低成本方法。

背景技术

射频识别器件包含集成电路(或芯片)和天线，并广泛用于将物体与唯一识别码相关联。所述天线发送和接收以特定频率或在特定频段内传输的信号。例如，射频识别器件可被配置成：发送和接收在高频(“HF”)频段内的信号(即具有大约3MHz至30MHz范围内频率的信号)或在超高频(“UHF”)频段内的信号(即具有大约300MHz至3000MHz范围内频率的信号)。更特别地，高频射频识别器件倾向于在13.56MHz或左右的频率下工作，而超高频射频识别器件倾向于在大约866MHz至915MHz(或北美的在902MHz至928MHz)范围内的频率下工作。

在许多应用中，期望采用一种在多频段(比如HF和UHF)工作的射频识别器件。美国专利号9,871,294描述一种示例的双频射频识别器件，该美国专利在此通过引用纳入本文。双频射频识别器件可被不同地配置，比如采用一种电耦合到一对天线的双模射频识别芯片，该一对天线根据一种方法配置成发送和接收不同频段的信号。或者，双频射频识别器件包括：第一芯片/天线对(pair)和第二芯片/天线对，所述第一对和第二对在不同频段工作。

高频天线常使用蚀刻工艺制成，这是由于其较小的几何形状和需要线圈的内部与外部之间的连接(桥接(bridge))或经由基底(substrate)而与基底另一侧上的第二线圈天线的互连(压接(crimips))。由于相似的原因，超高频连接带(UHF strap)(包含被配置成电耦合到超高频天线的一对导电衬垫(conductive pads)和射频识别芯片)也通常蚀刻而成。然而，虽然蚀刻技术已被证明在创建射频识别器件上是有效的，但与其他方法相比，它们可能很昂贵。

发明内容

本发明有几个方面，这些方面可单独或一起体现在以下所描述和要求保护的器件和系统中。这些方面可被单独采用或与本文所描述的主题的其他方面相结合地采用，并且，对这些方面一起的描述并非意在排除这些方面的单独使用、或这些方面的单独的或以不同组合方式的(如本文随发明要求保护范围中所可能列出的)保护要求。

本文描述了双模射频识别器件，所述双模射频识别器件包含一种具有双模能力的集成式射频识别连接带。在一些实施例中，所述集成式双模射频识别连接带被配置为电抗型连接带(reactive strap)，并包含耦合到射频识别芯片组件的高频天线和导电环。在一些实施例中，所述集成式双模射频识别连接带被配置成与超高频天线耦合，该超高频天线与所述集成式双模射频识别连接带之间无物理接触。

在一些实施例中，所述集成式双模射频识别连接带——其包含耦合到射频识别芯片组件的上述的高频天线和导电环——是在单一基底上。

在一些实施例中，所述集成式双模射频识别连接带配置为上述的电抗型连接带，磁耦合、导电耦合、和/或电容耦合到所述超高频天线。