[发明专利]一种低漏电的存储阵列在审
| 申请号： | 202080095744.X | 申请日： | 2020-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN115053294A | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 蔡江铮;布明恩;金禹铮;张雨晴 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;G11C11/417;G11C11/419 |
| 代理公司： | 北京龙双利达知识产权代理有限公司 11329 | 代理人： | 陈红玲;时林 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 漏电 存储 阵列 | ||
【说明书】：
一种低漏电的存储阵列(310)，该存储阵列(310)包括读位线(RBL)，连接地(VSS)和读位线(RBL)的读位线开关(M0)，以及多个存储电路，其中每个存储电路包括用于存储数据的存储单元(420)，以及用于读取存储单元(420)中的数据的读取电路(410)。该读取电路(410)的数据输入端与存储单元(420)的数据输出端连接以读取存储电路中的数据，读取电路(410)的数据输出端与读位线(RBL)连接以将读取的数据输出至读位线(RBL)。在读取电路(410)中从电源(VDD)至读位线(RBL)的漏电路径中至少有一个PMOS管，以抑制读取电路(410)中的漏电流，改善存储阵列(310)因漏电导致数据读取错误的情况。
PCT国内申请，说明书已公开。
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