[发明专利]气体放电光源中的预测装置在审

专利信息
申请号: 202080088425.6 申请日: 2020-12-01
公开(公告)号: CN114846408A 公开(公告)日: 2022-08-02
发明(设计)人: M·米纳卡伊斯 申请(专利权)人: 西默有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 张宁
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 气体 放电 光源 中的 预测 装置
【说明书】:

一种装置包括决策模块,该决策模块被配置为:接收与发射光束的光学系统的性能状况有关的性能度量;基于性能度量和预定学习模型来估计所提出的对光学系统的改变的有效性;以及如果估计所提出的对光学系统的改变是有效的,则向光学系统输出改变命令。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年12月18日提交的题为“PREDICTIVE APPARATUS IN A GASDISCHARGE LIGHT SOURCE”的美国申请No.62/949,723的优先权,该美国申请通过引用被整体并入本文中。

技术领域

本公开涉及一种使用预测模型的装置,该预测模型预测光学光刻系统的光学源的变化是否会改善光学源的操作条件。

背景技术

一种在光刻中使用的气体放电光源被称为准分子光源或激光器。通常,准分子激光器使用一种或多种稀有气体和反应性气体的组合,稀有气体可以包括氩气、氪气或氙气,反应性气体可以包括氟气或氯气。准分子激光器可以在电模拟(提供能量)和(气体混合物的)高压的适当条件下产生准分子(伪分子),该准分子仅在激励状态下存在。激励状态下的准分子产生在紫外范围内的经放大的光。准分子光源可以使用单个气体放电腔室或多个气体放电腔室。当准分子光源执行时,准分子光源产生深紫外(DUV)光束。DUV光可以具有例如约100纳米(nm)至约400nm的波长。

可以将DUV光束引导到光刻曝光装置或扫描仪,该光刻曝光装置或扫描仪是将所需图案施加到衬底(例如硅晶片)的目标部分上的机器。DUV光束与投影光学系统相互作用,该投影光学系统通过掩模将DUV光束投影到晶片的光致抗蚀剂上。这样,一层或多层芯片图案被图案化到光致抗蚀剂上,随后晶片被蚀刻和清洁。

发明内容

在一些总体方面,一种装置包括决策模块,该决策模块被配置为:接收与发射光束的光学系统的性能状况有关的性能度量;基于性能度量和预定学习模型,估计所提出的对光学系统的改变的有效性;以及如果估计所提出的对光学系统的改变是有效的,则向光学系统输出改变命令。

实现方式可以包括以下特征中的一个或多个。例如,决策模块可以被配置为:如果决策模块估计所提出的对光学系统的改变不是有效的,则向光学系统输出维持命令。

决策模块可以被配置为:通过确定光束的性能状况是否被改善,估计所提出的改变的有效性。决策模块可以通过确定光束质量的误差率是否被降低来确定光束的性能状况是否被改善。

性能状况可以包括以下项中的一项或多项:光束的光束质量误差的类型,在一定时段内气体混合物中发生放电事件的次数,与光束的光束质量的误差相关联的一个或多个故障,光束的光束质量以及光束的光束质量的误差。性能状况可以包括光学系统的配置,该光学系统的配置包括与包含气体混合物的一个或多个腔室有关的配置,诸如与包含气体混合物的一个或多个腔室相关联的压力、温度、设置或操作模式。性能状况可以包括与光束的操作参数或特性相关联的误差事件、相对于故障标记对每个误差事件的分析、以及光学系统的配置的改变。

决策模块可以被配置为:在实现对光学系统的改变之前,估计所提出的改变的有效性。

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