[发明专利]用于改变共振频率的非线性和智能超材料在审
| 申请号: | 202080070742.5 | 申请日: | 2020-10-08 |
| 公开(公告)号: | CN114929103A | 公开(公告)日: | 2022-08-19 |
| 发明(设计)人: | 张锌;S·安德森;赵晓光;段光武 | 申请(专利权)人: | 波士顿大学基金会 |
| 主分类号: | A61B5/055 | 分类号: | A61B5/055;G01R33/20;G01R33/32;G01R33/34 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 游雷;王小东 |
| 地址: | 美国马*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 改变 共振频率 非线性 智能 材料 | ||
1.一种电路,所述电路包括:
第一谐振器,所述第一谐振器具有特征谐振频率;以及
非线性谐振器,所述非线性谐振器被可控地配置成第一谐振状态和第二谐振状态,在所述第一谐振状态中,所述非线性谐振器具有等于所述特征谐振频率的第一谐振频率,在所述第二谐振状态中,所述非线性谐振器具有不同于所述第一谐振频率的第二谐振频率。
2.根据权利要求1所述的电路,其中:
所述第一谐振器被配置成耦合到第一端口,并且所述非线性谐振器被配置成耦合到第二端口,并且其中:
在所述第一谐振状态下,所述非线性谐振器被配置成感应地耦合到所述第一谐振器,以便将来自所述第一谐振器的信号通信地耦合到所述第二端口,并且
在所述第二谐振状态下,所述非线性谐振器被配置成将所述第二端口与所述第一谐振器隔离。
3.根据权利要求2所述的电路,其中:
所述非线性谐振器包括具有第一端和第二端的超材料谐振器,以及以电气方式设置在所述第一端与所述第二端之间的耦合器,其中,所述耦合器被可控地配置成多个阻抗状态,所述多个阻抗状态包括:
第一阻抗状态,所述第一阻抗状态将所述非线性谐振器配置成所述第一谐振状态,以及
第二阻抗状态,所述第二阻抗状态将所述非线性谐振器配置成所述第二谐振状态。
4.根据权利要求3所述的电路,其中,所述超材料谐振器包括分裂环谐振器。
5.根据权利要求3所述的电路,其中,所述耦合器包括可变电容,所述可变电容被配置成:
(a)响应于从所述第二端口入射到所述耦合器上的射频信号而具有所述第二阻抗状态,使得所述非线性谐振器处于所述第二谐振状态并且所述第二端口与所述第一谐振器隔离,并且
(b)在没有这种来自所述第二端口的在载波频率下的射频信号的情况下具有所述第一阻抗状态,使得所述非线性谐振器处于所述第一谐振状态并且被配置成将所述第一谐振器通信地耦合到所述第二端口。
6.根据权利要求3所述的电路,其中,所述耦合器包括可变电容,所述可变电容被配置成:
(a)响应于从所述第二端口入射到所述耦合器上的射频信号而具有所述第一阻抗状态,使得所述非线性谐振器处于所述第一谐振状态并且被配置成将所述第二端口通信地耦合到所述第一谐振器,并且
(b)在没有这种来自所述第二端口的在载波频率下的射频信号的情况下具有所述第二阻抗状态,使得所述非线性谐振器处于所述第二谐振状态并且所述第二端口与所述第一谐振器隔离。
7.根据权利要求3所述的电路,其中,所述耦合器包括开关。
8.根据权利要求7所述的电路,其中,所述开关包括晶体管。
9.根据权利要求2所述的电路,其中,所述第一谐振器是线性谐振器。
10.根据权利要求9所述的电路,其中,所述线性谐振器是螺旋谐振器。
11.一种方法,所述方法包括:
提供非线性谐振器和第二谐振器,其中:
所述非线性谐振器被可控地配置成隔离配置和接收配置,所述隔离配置具有隔离模式谐振频率,所述接收配置具有与所述隔离模式谐振频率不同的接收模式谐振频率,并且其中,
所述第二谐振器具有等于所述接收模式谐振频率的第二谐振频率;以及
在第一模式中,将所述非线性谐振器配置成所述隔离配置,使得所述非线性谐振器与所述第二谐振器在通信上基本隔离。
12.根据权利要求11所述的方法,所述方法还包括:
在第二模式中,将所述非线性谐振器配置成所述接收配置,使得所述非线性谐振器被配置用于与所述第二谐振器谐振通信。
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