[发明专利]感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法、电子器件的制造方法、化合物、树脂

权利要求书

1.一种感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其含有树脂X，所述树脂X含有来源于下述化合物的重复单元，

化合物：其含有2个以上的由阴离子部位和阳离子部位构成的结构部位及聚合性基团，通过光化射线或放射线的照射产生含有来源于所述2个以上的结构部位中的所述阴离子部位的酸性部位的酸。

2.根据权利要求1所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，

所述化合物中，所述阴离子部位中的2个以上的阴离子部位的结构互不相同。

3.根据权利要求1或2所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，

所述化合物为下述化合物(I)，

化合物(I)：其至少具有各1个下述结构部位X及下述结构部位Y，并且具有聚合性基团，所述化合物中，通过光化射线或放射线的照射产生含有所述聚合性基团、来源于下述结构部位X的下述第1酸性部位以及来源于下述结构部位Y的下述第2酸性部位的酸，

结构部位X：由阴离子部位A₁^-及阳离子部位M₁⁺构成，并且通过光化射线或放射线的照射，形成由HA₁表示的第1酸性部位的结构部位，

结构部位Y：由阴离子部位A₂^-及阳离子部位M₂⁺构成，并且通过光化射线或放射线的照射，形成与通过所述结构部位X形成的所述第1酸性部位不同结构的由HA₂表示的第2酸性部位的结构部位，

其中，化合物(I)满足下述条件I，

条件I：在所述化合物(I)中，将所述结构部位X中的所述阳离子部位M₁⁺及所述结构部位Y中的所述阳离子部位M₂⁺取代为H⁺而成的化合物PI具有：酸解离常数a1，其来源于将所述结构部位X中的所述阳离子部位M₁⁺取代为H⁺而成的、由HA₁表示的酸性部位；以及酸解离常数a2，其来源于将所述结构部位Y中的所述阳离子部位M2+取代为H+而成的、由HA₂表示的酸性部位，并且，所述酸解离常数a2大于所述酸解离常数a1。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，

所述树脂X进一步含有具有酸分解性基团的重复单元。

5.一种感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其含有下述树脂Y，

树脂Y：其含有：

酸分解性基团；

具有由第1阴离子部位和第1阳离子部位构成的第1结构部位的基团；及

具有由第2阴离子部位和第2阳离子部位构成的第2结构部位的基团，

所述第1结构部位通过光化射线或放射线的照射形成来源于所述第1阴离子部位的第1酸性部位，

所述第2结构部位通过光化射线或放射线的照射形成来源于所述第2阴离子部位的第2酸性部位，

所述第2酸性部位为与所述第1酸性部位不同的结构，并且其酸解离常数大于所述第1酸性部位的酸解离常数。

6.根据权利要求5所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，

所述树脂Y含有：

包含所述酸分解性基团的重复单元；及

包含具有所述第1结构部位的基团及具有所述第2结构部位的基团的重复单元。

7.一种抗蚀剂膜，其是使用权利要求1至6中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物形成的。

8.一种图案形成方法，其具有如下工序：

使用权利要求1至6中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物在支承体上形成抗蚀剂膜的工序；

对所述抗蚀剂膜进行曝光的工序；以及

使用显影液对所述经曝光的抗蚀剂膜进行显影的工序。