[发明专利]用于生产电位传感器的传感器元件的方法和传感器元件在审
| 申请号: | 202080058293.2 | 申请日: | 2020-08-18 |
| 公开(公告)号: | CN114270184A | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
| 发明(设计)人: | 马特乌斯·斯佩克 | 申请(专利权)人: | 恩德莱斯和豪瑟尔分析仪表两合公司 |
| 主分类号: | G01N27/26 | 分类号: | G01N27/26;G01N27/30;G01N27/333 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 穆森;戚传江 |
| 地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 生产 电位 传感器 元件 方法 | ||
1.一种制造用于电位传感器(100)的传感器元件(1)的方法,包括:
调节由铜或具有至少60%铜的质量分数的铜基合金组成的基材(3)的至少一个区域,以产生具有一价铜的氧化物层,以及
将离子选择性搪瓷层(7),尤其是pH选择性搪瓷层(7)至少施加到所述基材(3)的所述区域。
2.根据权利要求1所述的方法,
其中,当将所述搪瓷层(7)施加到所述基材的所述区域和形成的所述搪瓷层之间的界面时,产生过渡区(9),所述过渡区(9)包括氧化铜(I),并且所述基材的所述区域经由所述过渡区(9)与所述搪瓷层导电接触。
3.根据权利要求1或2所述的方法,
其中,将所述离子选择性搪瓷层(7)施加到所述基材(3)的所述区域包括:
将离子选择性玻璃,尤其是PH玻璃的搪瓷制品施加到所述基材的所述区域;以及
热处理施加到所述基材的所述搪瓷制品以形成所述离子选择性搪瓷层。
4.根据权利要求3所述的方法,
其中,在400℃和1085℃之间的温度下至少间歇地执行所述搪瓷制品的所述热处理。
5.根据权利要求3或4所述的方法,
其中,所述搪瓷制品被制造为至少包括来自所述离子选择性玻璃,尤其是所述PH玻璃的玻璃颗粒的粉末,或者被制造为至少包括来自所述离子选择性玻璃,尤其是所述PH玻璃的玻璃颗粒的液体或糊状制品。
6.根据权利要求1或2所述的方法,
其中,将所述离子选择性搪瓷层(7)施加到所述基材(3)的所述区域包括:
将由离子选择性玻璃制成的玻璃体施加到所述基材(3)的所述区域,以及
将所述玻璃体熔合到所述基材以形成所述离子选择性搪瓷层(7)。
7.根据权利要求1或2所述的方法,
其中,将所述离子选择性搪瓷层(7)施加到所述基材(3)的所述区域包括:
将离子选择性玻璃的熔体施加到所述基材(3)的所述区域,以及如果合适则通过限定的冷却,使所述熔体固化,以形成所述离子选择性搪瓷层(7)。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的方法,
其中,所述基材(3)是由铜或具有至少80%铜的质量分数的铜基合金形成的主体,或者由至少一个基体(31),尤其是金属或陶瓷基体形成的主体,其中至少一个层由铜或铜基合金组成。
9.根据权利要求1至8中的任一项所述的方法,
其中,对所述基材(3)的至少所述区域的调节包括在施加所述搪瓷层(7)之前执行的钝化,尤其是通过热预处理、等离子体预处理、溶液中的电化学或化学反应、或者通过借助于根据气相的涂覆工艺施加氧化物层。
10.根据权利要求1至9中的任一项所述的方法,
其中,在保护气体气氛中执行对所述基材的至少所述区域的所述调节,尤其是对所述基材的至少所述区域的钝化。
11.根据权利要求1至10中的任一项所述的方法,
其中,具有一价铜的所述氧化物层在调节后具有小于5μm的厚度。
12.根据权利要求1至11中的任一项所述的方法,
进一步包括:利用电绝缘材料包覆至少包括所述搪瓷层(7)和所述基材(3)的单元,使得以这种方式形成的护套(12)在所述传感器元件(1)的旨在与测量介质(5)接触的区域中仅使所述搪瓷层(7)的背离所述基材(3)的表面敞开。
13.一种通过根据权利要求1至12中的任一项所述的方法制造的用于电位传感器(100)的传感器元件(1)。
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