[发明专利]荧光体板和使用该荧光体板的发光装置在审
申请号: | 202080045123.0 | 申请日: | 2020-06-22 |
公开(公告)号: | CN113993974A | 公开(公告)日: | 2022-01-28 |
发明(设计)人: | 山浦太阳;久保田雄起;伊藤和弘;江本秀幸 | 申请(专利权)人: | 电化株式会社 |
主分类号: | C09K11/00 | 分类号: | C09K11/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王洋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 荧光 使用 发光 装置 | ||
本发明的荧光体板具备包含母材和分散于上述母材中的荧光体的板状的复合体,将测定波长300nm~700nm的光的吸收光谱时的455nm的吸收率设为A455(%),将700nm的吸收率设为A700(%),将该荧光体板的厚度设为T(mm)时,(A700/A455)/T满足0.01~1.00。
技术领域
本发明涉及荧光体板和使用该荧光体板的发光装置。
背景技术
迄今为止对荧光体板进行了各种各样的开发。作为这种技术,例如已知专利文献1中记载的技术。专利文献1中记载了YAG:Ce晶粒和氧化铝晶粒混合存在的荧光体板作为一个例子(专利文献1的段落0055等)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2012-9470号公报
发明内容
然而,本发明人进行了研究,结果发现在上述专利文献1记载的荧光体板中,在荧光强度方面有改善的余地。
上述专利文献1中,对由包含母材和荧光体的复合体构成的荧光体板尚未充分地研究。在荧光体板中,如果发光时发光的自吸收变大,则有时荧光强度降低。
本发明人进一步进行了研究,结果发现通过减少由荧光体板所致的发光区域的发光的自吸收、所谓非发光吸收,能够抑制荧光强度的降低,对于非发光吸收的程度,可以将700nm的吸收率作为指标而活用。
基于这样的见解进一步进行了深入研究,结果发现通过采用将455nm的吸收率设为A455(%)、将700nm的吸收率设为A700(%)、将该荧光体板的厚度设为T(mm)时的(A700/A455)/T作为指标,能够稳定地评价非发光吸收的程度,通过使该指标在适当的范围内,能够提高荧光体板的荧光强度,以至完成了本发明。
根据本发明,可提供一种荧光体板,
具备包含母材和分散于上述母材中的荧光体的板状的复合体,
对该荧光体板测定波长300nm~700nm的光的吸收光谱时的455nm的吸收率设为A455(%),将700nm的吸收率设为A700(%),将该荧光体板的厚度设为T(mm)时,
(A700/A455)/T满足0.01~1.00。
另外,根据本发明,可提供一种发光装置,具备:
第III族氮化物半导体发光元件,以及
设置于上述第III族氮化物半导体发光元件的一面上的上述的荧光体板。
根据本发明,可提供荧光强度优异的荧光体板和使用该荧光体板的发光装置。
附图说明
图1是表示本实施方式的荧光体板的构成的一个例子的示意图。
图2中的(a)是示意地表示倒装芯片型的发光装置的构成的截面图,(b)是示意地表示引线接合型的发光元件的构成的截面图。
图3是用于测定复合体的发光光谱的装置的概略图。
具体实施方式
以下,使用附图对本发明的实施方式进行说明。应予说明,在全部的附图中,对同样的构成要素标注同样的符号,适当地省略说明。另外,图是概略图,与实际的尺寸比率不一致。
对本实施方式的荧光体板的概要进行说明。
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