[发明专利]用于图案化过程建模的方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

利用过程模型的前端确定与图案化过程流程内的操作的过程物理学和/或过程化学相关联的函数；和

利用所述过程模型的后端确定预测的晶片几何形状，其中所述过程模型的所述后端包括所述晶片上的目标区域的体积表示，其中由所述后端通过应用来自所述前端的与所述过程物理学和/或过程化学相关联的所述函数以操控所述晶片上的所述目标区域的体积表示来确定所述预测的晶片几何形状。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

利用所述过程模型的第二前端确定与所述图案化过程流程内的第二操作的过程物理学和/或过程化学相关联的第二函数；和

利用所述过程模型的同一后端确定第二预测的晶片几何形状，所述过程模型的所述后端包括所述晶片上的所述目标区域的相同体积表示，由所述后端通过应用与所述图案化过程流程内的所述第二操作的过程物理学和/或过程化学相关联的所述第二函数以操控所述晶片上的所述目标区域的所述体积表示来确定所述第二预测的晶片几何形状。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述图案化过程流程内的所述操作包括蚀刻，并且其中所述图案化过程流程内的所述第二操作包括沉积或化学机械抛光。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括由所述过程模型实施从前端逻辑切换至后端逻辑的基于时间的迭代流程控制。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述前端和所述后端经由：(1)由所述前端所限定的一组可配置的表面点参数，和(2)由所述前端基于所述表面点参数所确定的速度场来进行通信，所述表面点参数是在应用来自所述前端的函数之前由所述后端从所述前端获得的。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括利用所述过程模型的所述后端使用体积动态B树来产生所述晶片上的所述目标区域的所述体积表示。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括利用所述过程模型的所述后端使用水平集合方法来操控所述晶片上的所述目标区域的所述体积表示。

8.根据权利要求1所述的方法，其中与所述图案化过程流程内的所述操作的过程物理学和/或过程化学相关联的所述函数是速度/速率函数。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述速度/速率函数描述所述晶片的表面的在所述晶片与所述晶片周围的环境之间的界面处的运动。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述速度/速率函数被配置成针对所述表面上的不同点产生不同速度值，所述不同速度值随着所述图案化过程流程内的所述操作的针对所述晶片的所述表面上的不同点的过程物理学和/或过程化学而变化。

11.根据权利要求1所述的方法，其中与所述图案化过程流程内的所述操作的过程物理学和/或过程化学相关联的所述函数包括定性参数和与所述定性参数相关联的数值常数，由所述前端使用机器学习模型来确定所述数值常数，所述机器学习模型被配置成增强对实体晶片进行的测量与来自所述后端的所述预测的晶片几何形状之间的一致性。

12.根据权利要求1所述的方法，还包括利用所述过程模型的所述前端使用射线追踪来确定在所述晶片与所述晶片周围的环境之间的界面处、在所述晶片的模型化表面上的多个单独点处的入射通量。

13.根据权利要求12所述的方法，其中与所述图案化过程流程内的所述操作的过程物理学和/或过程化学相关联的所述函数是水平集合速度函数，并且其中利用图形处理单元根据所述水平集合函数直接地执行入射通量确定。

14.根据权利要求13所述的方法，还包括使用射线追踪、基于使用体积动态B树所产生的所述晶片上的所述目标区域的表示来确定所述入射通量。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述图案化过程流程内的所述操作包括蚀刻、沉积、或化学机械抛光。