[发明专利]基于亮银的四元纳米结构

权利要求书

1.包含Ag、In、Ga和S(AIGS)的纳米结构，其具有AIGS核到AGS的梯度而没有明显的GS层，其中所述纳米结构的峰值发射波长(PWL)范围为480-545nm并且其中至少80％的所述发射是带边发射，和其中所述纳米结构表现出80-99.9％的量子产率(QY)。

2.根据权利要求1所述的纳米结构，其中所述纳米结构的发射光谱的FWHM小于40nm。

3.根据权利要求2所述的纳米结构，其中所述纳米结构的发射光谱的FWHM为36-38nm。

4.根据权利要求1所述的纳米结构，其中所述纳米结构的QY为82-96％。

5.根据权利要求4所述的纳米结构，其中所述纳米结构的QY为85-95％。

6.根据权利要求4所述的纳米结构，其中所述纳米结构的QY为86-94％。

7.根据权利要求1所述的纳米结构，其中所述纳米结构的OD₄₅₀/质量(mL mg^-1cm^-1)大于或等于0.8。

8.根据权利要求7所述的纳米结构，其中所述纳米结构的OD₄₅₀/质量(mL mg^-1cm^-1)在0.8-2.5的包含范围内。

9.根据权利要求8所述的纳米结构，其中所述纳米结构的OD₄₅₀/质量(mL mg^-1cm^-1)在0.87-1.9的包含范围内。

10.根据权利要求1所述的纳米结构，其中所述纳米结构的平均直径按照TEM小于10nm。

11.根据权利要求10所述的纳米结构，其中所述平均直径为5nm。

12.根据权利要求1所述的纳米结构，其中至少80％的所述发射是带边发射。

13.根据权利要求1所述的纳米结构，其中至少90％的所述发射是带边发射。

14.根据权利要求13所述的纳米结构，其中92-98％的所述发射是带边发射。

15.根据权利要求13所述的纳米结构，其中93-96％的所述发射是带边发射。

16.根据权利要求1所述的纳米结构，其是量子点。

17.一种纳米结构组合物，其包含：

(a)至少一种根据权利要求1所述的纳米结构的群体，和

(b)至少一种有机树脂。

18.根据权利要求17所述的纳米结构组合物，其进一步包含至少一种第二纳米结构群体，其PWL大于545nm。

19.一种制备纳米结构组合物的方法，所述方法包括：

(a)提供至少一种权利要求1所述的纳米结构的群体；和

(b)混合至少一种有机树脂与(a)的所述至少一种群体。

20.根据权利要求19所述的方法，其中92-98％的所述发射是带边发射。

21.根据权利要求19所述的方法，其中93-96％的所述发射是带边发射。

22.一种包含权利要求17所述的组合物的装置。