[发明专利]用于形成成核抑制涂层的材料和结合所述成核抑制涂层的装置

权利要求书

1.一种光电子装置，其包括：

成核抑制涂层(NIC)，所述NIC安置在所述装置的在其横向方面的第一部中的表面上；以及

导电涂层，所述导电涂层安置在所述装置的在其所述横向方面的第二部中的表面上；

其中在所述第一部中的所述NIC的表面上形成所述导电涂层的初始粘附概率小于在所述第二部中的所述表面上形成所述导电涂层的初始粘附概率，使得所述第一部基本上缺乏所述导电涂层；并且

其中所述NIC包括具有选自由以下组成的组的式的化合物：式(I)、(II)、(V)、(VI)、(VII)和(VIII)

其中

Ar¹表示具有6个到50个碳原子的经取代的或未经取代的芳基；具有6个到60个碳原子的经取代的或未经取代的亚芳基；具有4个到50个碳原子的经取代的或未经取代的杂芳基；或具有5个到60个碳原子的经取代的或未经取代的亚杂芳基；

R_a表示一个或多个取代基，所述一个或多个取代基独立地为：H、D(氘代)、F、Cl、包含C₁-C₆烷基在内的烷基、环烷基、甲硅烷基、氟烷基、芳基烷基、芳基、杂芳基、烷氧基、卤代烷氧基、氟烷氧基、氟芳基和三氟芳基；

R_b表示一个或多个取代基，所述一个或多个取代基独立地为：H、D(氘核)、F、Cl、包含C₁-C₆烷基在内的烷基、环烷基、甲硅烷基、氟烷基、芳基烷基、芳基、卤代芳基、杂芳基、烷氧基、卤代烷氧基、氟烷氧基、氟芳基和三氟芳基；

Ar²表示具有6个到50个碳原子的经取代的或未经取代的亚芳基或具有4个到50个碳原子的经取代的或未经取代的亚杂芳基；

Ar³表示具有6个到50个碳原子的经取代的或未经取代的芳基；具有6个到60个碳原子的经取代的或未经取代的亚芳基；具有4个到50个碳原子的经取代的或未经取代的杂芳基；或具有5个到60个碳原子的经取代的或未经取代的亚杂芳基；

Ar⁴表示具有6个到50个碳原子的经取代的或未经取代的亚芳基或具有4个到50个碳原子的经取代的或未经取代的亚杂芳基；

Ar⁵表示具有6个到50个碳原子的经取代的或未经取代的芳基；具有6个到60个碳原子的经取代的或未经取代的亚芳基；具有4个到50个碳原子的经取代的或未经取代的杂芳基；或具有5个到60个碳原子的经取代的或未经取代的亚杂芳基；

Ar⁶表示具有6个到50个碳原子的经取代的或未经取代的芳基；具有6个到50个碳原子的经取代的或未经取代的卤代芳基；具有6个到60个碳原子的经取代的或未经取代的亚芳基；或具有5个到60个碳原子的经取代的或未经取代的杂芳基；并且

Ar⁷表示具有6个到50个碳原子的经取代的或未经取代的芳基；具有6个到50个碳原子的经取代的或未经取代的卤代芳基；具有6个到60个碳原子的经取代的或未经取代的亚芳基；或具有5个到60个碳原子的经取代的或未经取代的杂芳基。

2.根据权利要求1所述的光电子装置，其中所述第一部包括至少一个发射区域。

3.根据权利要求2所述的光电子装置，其中所述第二部包括非发射区域的至少一部分。

4.根据权利要求2所述的光电子装置，其中所述第一部的所述至少一个发射区域中的所述NIC的厚度被调制以调整其光学微腔效应。

5.根据权利要求2到4中任一项所述的光电子装置，其进一步包括第一电极、第二电极和在所述第一电极与所述第二电极之间的半导电层，其中所述第二电极在所述第一部中在所述NIC与所述半导电层之间延伸。

6.根据权利要求5所述的光电子装置，其中所述导电涂层电耦接到所述第二电极。

7.根据权利要求5所述的光电子装置，其中所述导电涂层在所述第二部中涂覆所述第二电极的至少一部分。