[发明专利]成像方法和系统

说明书

目的是提供一种成像方法和成像系统。根据实施例，成像方法包括将中子发射到物质中，其中所述物质将所发射的中子的至少一部分转换成第一多个伽马射线光子，并且其中所发射的中子的至少一部分穿过所述物质。基于穿过所述物质的所述中子和所述伽马射线光子，可以推导所述物质的至少一个属性。提供了一种成像方法和成像系统。

技术领域

本发明涉及成像，尤其涉及一种成像系统及成像方法。

背景技术

当中子与物质相互作用时，由于被称为的中子俘获反应，物质可以发射除了其它辐射的伽马射线光子。如果伽马射线光子的能量足够高，这些伽马射线光子可以使它们的生产物质几乎不衰减。

然而，在许多物质中，特定中子俘获反应的数量可能较小。为此，由于例如在测量或治疗期间存在的本底和中子导致的本底(其本底可能源于其他物质)，导致由伽马射线光子产生的信号可能难以检测。因此，可能难以将这些伽马射线光子直接用于成像应用或其他应用。

发明内容

提供该发明内容以便以简化的形式介绍将在以下详细描述中进一步描述的一些概念。本发明内容不旨在标识所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求保护的主题的范围。

本发明的目的是提供一种成像方法和成像系统。前述和其它目的通过独立权利要求的特征来实现。根据从属权利要求、说明书和附图，进一步的实施形式是显而易见的。

根据第一方面，一种成像方法包括：将中子发射到物质中，其中所述物质将所发射的中子的至少一部分转换成第一多个伽马射线光子，并且其中所发射的中子的至少一部分穿过所述物质；将穿过所述物质的所述中子的至少一部分转换成第二多个伽马射线光子；检测在第一能量范围B₁中的伽马射线光子的数量N₁，其中，所述B₁被包括在0-511千电子伏特keV范围内；检测在第二能量范围B₂中的伽马射线光子的数量N₂，其中，所述B₂被包括在500至520keV范围中；检测在第三能量范围B₃中的伽马射线光子的数量N₃，其中，所述B₃被包括在511-660keV范围中；检测在第四能量范围B₄中的伽马射线光子的数量N₄，其中，B₄的下边界大于或等于650keV；以及基于所述N1、所述N2、所述N3和所述N4推导物质的至少一个属性。基于所述N1、所述N2、所述N3和所述N4，可以例如有效地对所述物质成像。

在第一方面的一种实施方式中，B₁被包括在范围100-509keV内；B₂被包括在范围509-516keV内；B₃被包含在516-656keV的范围内；和/或B₄的下边界大于或等于656keV。利用这样的范围，可以提高物质的成像的精度。

在第一方面的另一实施方式中，N₂对应于湮灭事件的数量。因此，可以推导湮没事件的数量，这可以提供关于物质的附加信息。

在第一方面的进一步的实施方式中，推导所述物质的至少一个属性包括：基于所述N1、所述N2、所述N3和所述N4，识别所述物质中的至少一种元素。基于所述至少一种元素，例如可以推导出所述物质的其他属性。

在第一方面的进一步实施方式中，推导所述物质的至少一个属性还包括：基于所述N1、所述N2、所述N3和所述N4推导所述物质中所述至少一种元素的含量。基于至少一种元素的所述含量，例如可以推导所述物质的其它属性。

在第一方面的进一步的实施方式中，推导所述物质的至少一个属性包括：基于N3推导穿过所述物质的中子的数量。例如，基于穿过所述物质的中子的数量，可以推导出所述物质中各种元素的含量。