[发明专利]用于包括再熔工艺的应用的具有低沉淀物密度的合金及其制备方法

权利要求书

1.用于生产用于金属增材制造中的金属基粉末的方法，所述方法包括：

将合金金属前体在其液相线温度以上的温度下熔化，直到所有合金金属前体都处于液态，以产生熔融合金；

通过将熔融合金转移到铸机中而铸造熔融合金；

将熔融合金以约50℃/s以上的冷却速率冷却至至少在固相线温度以下的温度，以生产具有低沉淀物密度的铸造合金；

将具有低沉淀物密度的铸造合金再熔以产生熔化的合金；和

由再熔合金形成金属基粉末。

2.如权利要求1所述的方法，其中冷却熔融合金的温度比固相线温度低至少约70℃以抑制沉淀物的生长速率。

3.如权利要求1所述的方法，其中冷却熔融合金的温度为固相线温度的约50％以抑制沉淀物的生长速率。

4.如权利要求1-3中任一项所述的方法，还包括具有低沉淀物密度的铸造合金的均化步骤，以进一步降低铸造合金中沉淀物的密度。

5.如权利要求4所述的方法，其中均化步骤包括在一段时间内将具有低沉淀物密度的铸造合金热处理至温度T。

6.如权利要求1-5中任一项所述的方法，其中冷却速率为约50℃/s至约110℃/s，包括端点。

7.如权利要求1-6中任一项所述的方法，其中通过直接冷铸、书模铸造或双辊铸造来进行熔融合金的铸造。

8.如权利要求7所述的方法，其中通过直接冷铸进行熔融合金的铸造。

9.如权利要求7所述的方法，其中通过书模铸造进行熔融合金的铸造。

10.如权利要求1-9中任一项所述的方法，其中以小于约10℃/s的加热速率进行再熔。

11.如权利要求1-9中任一项所述的方法，其中再熔以约0.01℃/s至约10℃/s的加热速率进行，包括端点。

12.如权利要求1-11中任一项所述的方法，其中由再熔合金形成金属基粉末是通过雾化进行的。

13.生产适于增材制造应用的具有低沉淀物密度的铸造合金的方法，所述方法包括：

将合金金属前体在其液相线温度以上的温度下熔化，直到所有合金金属前体都处于液态，以产生熔融合金；

通过将熔融合金转移到铸机中而铸造熔融合金；

将熔融合金以约50℃/s以上的冷却速率冷却至至少在固相线温度以下的温度，以生产具有低沉淀物密度的铸造合金。

14.如权利要求13所述的方法，其中冷却熔融合金的温度比固相线温度低至少约70℃以抑制沉淀物的生长速率。

15.如权利要求13所述的方法，其中冷却熔融合金的温度为固相线温度的约50％以抑制沉淀物的生长速率。

16.如权利要求13-15中任一项所述的方法，还包括具有低沉淀物密度的铸造合金的均化步骤，以进一步降低铸造合金中的沉淀物的密度。

17.如权利要求16所述的方法，其中均化步骤包括在一段时间内将具有低沉淀物密度的铸造合金热处理至温度T。

18.如权利要求13-17中任一项所述的方法，其中冷却速率为约50℃/s至约110℃/s，包括端点。

19.如权利要求13-18中任一项所述的方法，其中通过直接冷铸、书模铸造或双辊铸造进行熔融合金的铸造。