[发明专利]霍尔效应棱镜传感器

权利要求书

1.一种基片，包括：

磁性颗粒，所述磁性颗粒被放置在电阻基片附近，所述磁性颗粒由于垂直磁场而使电流图案偏转；以及

电极阵列，所述电极阵列在电流被磁场线偏转时测量电势，其中，所述偏转与所述磁场有关，但不是场值的直接测量结果。

2.根据权利要求1所述的基片，其中，所述电阻基片由硅(Si)、砷化镓(GaAs)、砷化铟(InAs)、磷化铟(InP)、锑化铟(InSb)、石墨烯(碳(C)的同素异形体)和铋(Bi)单独地或组合地组成。

3.一种表征对象对磁场的影响的方法，包括：

用分布在粘合剂基质中的小磁体的阵列产生磁场；以及

测量由放置在电阻基片附近的所述小磁体引起的在所述电阻基片的整个表面中的电势的变化，所述小磁体由于垂直磁场而使电流图案偏转，

其中，通过与基片材料的直接导电接触或穿过所述基片的电容耦合来实现感测。

4.一种传感器阵列基片，包括：

传感器阵列基片层；

附加层，所述附加层堆叠在所述基片的顶部上，以创建与所述基片的互连并路由布线通道以转向所需的偏置和测量电路；

到所述基片的导体垫片连接部，其中，所述导电垫片允许电流在所述基片内流动，并且在所述导电垫片之间的间隙将一个导电垫片与另一个导电垫片隔离；以及

绝缘材料，所述绝缘材料将感测区域基片与被测量的设备隔离。

5.根据权利要求4所述的传感器阵列，其中，到所述基片的所述导体垫片连接部可以被镀在所述基片的表面上。

6.根据权利要求4所述的传感器阵列，其中，所述导电垫片的几何形状可以是正方形、矩形、圆形或任何任意形状。

7.根据权利要求4所述的传感器阵列，其中，所述导电垫片将是用于高密度填塞的圆形或六边形垫片的六边形阵列图案。

8.根据权利要求4所述的传感器阵列，其中，用于直接接触感测垫片的电阻层能够可选地是用于电容耦合的具有电阻基片层的介电层。

9.根据权利要求4所述的传感器阵列，其中，电流的源位置能够被施加到表面接触或耦合位置的任何组合，以便调整在所述阵列内的电势变化对在传感器区域下的磁体的灵敏度。

10.根据权利要求4所述的传感器阵列，其中，所述基片可以扩展到电阻基片材料之外以包括许多半导体设备材料。

11.一种传感器阵列基片，包括：

传感器阵列基片层；

附加层，所述附加层堆叠在所述基片的顶部上，以创建与所述基片的互连并路由布线通道以转向所需的偏置和测量电路；

到所述基片的导体垫片连接部，其中，所述导电垫片允许电流在所述基片内流动，并且在所述导电垫片之间的间隙将一个导电垫片与另一个导电垫片隔离；

代替底部导电板的垫片的阵列；以及

绝缘材料，所述绝缘材料将感测区域基片与被测量的设备隔离。

12.根据权利要求11所述的传感器阵列，其中，软铁氧体材料层被添加到所述传感器的背面以增加在电压测量垫片的传感器侧上的场。

13.根据权利要求4所述的传感器，其中，是一薄层磁性PUF材料的滤波器或键被插在所述传感器上方，所述一薄层磁性PUF材料将干扰在所述传感器和被测量的PUF设备之间的磁场。

14.一种传感器，包括：

陶瓷基底，所述陶瓷基底用于刚性；

电阻基片材料，所述电阻基片材料通过层压或涂覆工艺被施加，其中，实现方式是半导体工艺的一部分，像互补金属氧化物半导体(“CMOS”)或电荷耦合设备(“CCD”)相机传感器一样，其中光敏由电阻基片材料代替。

15.一种传感器阵列基片，包括：

传感器阵列基片层；

附加层，所述附加层堆叠在所述基片的顶部上，以创建与所述基片的互连并路由布线通道以转向所需的偏置和测量电路；

滤波器或键，所述滤波器或键是一薄层磁性PUF材料，所述一薄层磁性PUF材料将干扰在传感器和被测量的PUF设备之间的磁场；

到所述基片的导体垫片连接部，其中，所述导电垫片允许电流在所述基片内流动，并且在所述导电垫片之间的间隙将一个导电垫片与另一个导电垫片隔离；以及

绝缘材料，所述绝缘材料将感测区域基片与被测量的设备隔离。