[发明专利]负极和包括所述负极的二次电池

权利要求书

1.一种负极，所述包括负极活性材料层，

其中所述负极活性材料层包括负极活性材料和导电材料，

其中所述负极活性材料包括SiOx(0≤x2)颗粒，并且

所述导电材料包括：

其中一个石墨烯片的一部分连接到相邻石墨烯片的一部分的次级颗粒；和

其中2至5,000个单壁碳纳米管单元彼此耦接的碳纳米管结构，

其中所述次级颗粒的氧含量是基于所述次级颗粒的总重量的1重量％至10重量％，

通过氮气吸附BET法测得的所述次级颗粒的比表面积为500m²/g至1100m²/g，并且

所述碳纳米管结构以0.01重量％至1.0重量％的量被包括在所述负极活性材料层中。

2.根据权利要求1所述的负极，其中所述次级颗粒包括其中所述石墨烯片以链状彼此耦接的结构。

3.根据权利要求1所述的负极，其中所述石墨烯片的横向尺寸为10nm至300nm。

4.根据权利要求1所述的负极，其中所述次级颗粒具有如以下等式1所计算的0至0.2的值：

[等式1]

在等式1中，a是通过氮气吸附BET法测得的次级颗粒的比表面积(m²/g)，b是次级颗粒的碘吸附值(mg/g)。

5.根据权利要求1所述的负极，其中所述次级颗粒进一步包括连接部分，所述连接部分连接至所述多个石墨烯片中的至少一些石墨烯片，其中所述连接部分为非石墨烯形式。

6.根据权利要求5所述的负极，其中所述多个石墨烯片中的每一个的至少一部分连接至所述连接部分。

7.根据权利要求1所述的负极，其中所述石墨烯片的平均厚度为0.34nm至10nm。

8.根据权利要求1所述的负极，其中当测量所述次级颗粒的拉曼光谱时，D/G峰值比为0.9至2.0。

9.根据权利要求1所述的负极，其中所述碳纳米管结构在所述负极中以网状结构彼此连接。

10.根据权利要求1所述的负极，其中所述单壁碳纳米管单元并排布置并且在所述碳纳米管结构中彼此耦接。

11.根据权利要求1所述的负极，其中所述碳纳米管结构的平均长度为1μm至500μm。

12.根据权利要求1所述的负极，其中所述碳纳米管结构的平均长度为6μm至20μm。

13.根据权利要求1所述的负极，其中所述碳纳米管结构的平均直径为2nm至200nm。

14.根据权利要求1所述的负极，其中所述碳纳米管结构是其中15至50个单壁碳纳米管单元彼此耦接的碳纳米管结构。

15.根据权利要求1所述的负极，其中所述次级颗粒相对于所述碳纳米管结构的重量比为100：1至100：200。

16.根据权利要求1所述的负极，其中所述SiO_x(0≤x2)颗粒的平均粒径(D₅₀)为0.1μm至20μm。

17.根据权利要求1所述的负极，其中所述负极活性材料进一步包括碳基活性材料。

18.根据权利要求1所述的负极，其中所述负极活性材料层进一步包括羧甲基纤维素。