[发明专利]用于离子迁移过滤器的制造方法

权利要求书

1.一种制造离子迁移过滤器的方法，所述方法包括：

提供包括孔口的支撑件；

将电极层附接到所述支撑件，使得所述电极层覆盖所述孔口；以及

通过机械地切割穿过所述电极层来形成多个离子迁移电极；

其中，每个相邻的电极对在该电极对之间限定出离子通道，并且每个电极与相邻的电极分开。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述多个离子迁移电极包括：切割穿过所述电极层的多个平行的通道，其中每个通道具有10微米至50微米的宽度。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，形成所述多个离子迁移电极包括：切割多个通道，其中每个通道具有至少10:1的纵横比。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，提供所述支撑件包括：提供支撑层，所述支撑层具有在该支撑层的第一面上的第一导电层以及具有在该支撑层的相对面上的第二导电层。

5.根据权利要求4所述的方法，包括：在所述第一导电层中形成多个电连接，其中，所述电连接是成对的，并且在电极的每一端处各有一个电连接。

6.根据权利要求4或5所述的方法，包括：形成穿过所述支撑层的过孔，以电连接所述第一导电层和所述第二导电层。

7.根据权利要求5或6所述的方法，其中，所述多个电连接和/或所述过孔是在形成所述多个离子迁移电极之前形成的。

8.根据权利要求7所述的方法，包括：蚀刻所述多个电连接和/或所述过孔。

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，包括：在形成所述多个离子迁移电极时部分地切割所述支撑件。

10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，包括在附接所述电极层之前形成穿过所述支撑件的所述孔口。

11.一种根据权利要求1至10中任一项所述的方法制造的离子迁移过滤器。

12.一种离子迁移过滤器，包括：

支撑件，其包括孔口；和

电极层，其包括多个离子迁移电极，其中每个相邻的电极对在该电极对之间限定出离子通道，并且每个电极与所述多个离子迁移电极中的其它电极分开，

其中，每个离子迁移电极跨越所述孔口，并且每个离子迁移电极的相对端附接到所述支撑件。

13.根据权利要求12所述的离子迁移过滤器，其中，每个离子通道的宽度为10微米至50微米。

14.根据权利要求12或13所述的离子迁移过滤器，其中，每个离子通道的纵横比为至少10:1。

15.根据权利要求12至14中任一项所述的离子迁移过滤器，其中，所述电极层的厚度为1微米至10微米。

16.根据权利要求12至15中任一项所述的离子迁移过滤器，其中，所述电极层是金属。

17.根据权利要求12至16中任一项所述的离子迁移过滤器，其中，所述支撑件包括支撑层、在所述支撑层的第一面上的第一导电层、以及在所述支撑层的相对面上的第二导电层。

18.根据权利要求17所述的离子迁移过滤器，其中，所述第一导电层和所述第二导电层中的至少一者由半导体材料形成。

19.根据权利要求17或18所述的离子迁移过滤器，包括：在所述第一导电层中的多个电连接，其中，所述电连接是成对的，并且在电极的每一端处各有一个电连接。