[发明专利]开关的驱动装置

说明书

驱动装置进行互相并联连接的多个开关(SW1、SW2)的驱动控制。多个开关包括具有不同的短路容限的开关。驱动装置包括：判断部(91、92)，该判断部对多个开关中的至少一个开关有过电流流过的情况进行判断；以及过电流保护部(60)，在由判断部判断为有过电流流过的情况下，该过电流保护部将多个开关切换为断开状态。过电流保护部将多个开关中的短路容限最小的开关即最小容限开关(SW1)首先切换为断开状态。

相关申请的援引

本申请以2019年3月1日申请的日本专利申请第2019-038050号为基础，在此援引其记载内容。

技术领域

本公开涉及一种开关的驱动装置。

背景技术

以往，例如专利文献1所记载的那样，已知一种驱动由Si器件构成的IGBT的驱动装置。上述驱动装置在判断为IGBT中有过电流流过的情况下，通过将IGBT切换为断开状态，实现IGBT的保护。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2012-65530号公报

发明内容

作为驱动装置，存在这样一种装置：对IGBT以及与IGBT并联连接并且由SiC器件构成的MOSFET进行驱动。此处，MOSFET的短路容限比IGBT的短路容限低。因此，期望一种技术，在MOSFET和IGBT的并联连接体中有过电流流过的情况下，可以适当地保护短路容限较低的MOSFET。

另外，期望一种技术，不限于互相并联连接的MOSFET和IGBT，还可以适当地保护互相并联连接的多个开关且包括具有不同的短路容限的开关的多个开关免受过电流的影响。

本公开的主要目的在于提供一种开关的驱动装置，能适当地保护互相并联连接的多个开关中的短路容限最小的开关免受过电流的影响。

本公开是一种开关的驱动装置，进行互相并联连接的多个开关的驱动控制，

多个上述开关包括具有不同的短路容限的开关，

包括：判断部，该判断部对多个上述开关中的至少一个开关有过电流流过的情况进行判断；以及

过电流保护部，在由上述判断部判断为有过电流流过的情况下，上述过电流保护部将多个上述开关切换为断开状态，

上述过电流保护部将多个上述开关中的短路容限最小的开关即最小容限开关首先切换为断开状态。

在本公开中，由于将多个开关中的最小容限开关首先切换为断开状态，因此能缩短在最小容限开关中过电流流过的时间。由此，能使从判断为有过电流流过开始到最小容限开关被切换为断开状态为止，在最小容限开关中产生的能量减少，从而能使该能量处于最小容限开关的短路容限以下。其结果是，能适当地保护最小容限开关免受过电流的影响。

附图说明

参照附图和以下详细的记述，可以更明确本公开的上述目的、其他目的、特征和优点。附图如下所述。

图1是第一实施方式的控制系统的整体结构图。

图2是表示第一开关、第二开关的电流电压特性的图。

图3是表示驱动电路及其周边结构的图。

图4是表示切断电路的处理步骤的流程图。

图5是表示过电流保护动作的一例的时序图。

图6是表示过电流保护动作的一例的时序图。

图7是表示比较例1的过电流保护动作的一例的时序图。

图8是表示比较例2的过电流保护动作的一例的时序图。

图9是表示第二实施方式的切断电路的处理步骤的流程图。

图10是表示第三实施方式的切断电路的处理步骤的流程图。

具体实施方式

＜第一实施方式＞