[发明专利]电力转换装置在审
申请号: | 202080006429.5 | 申请日: | 2020-05-25 |
公开(公告)号: | CN113169662A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 中森昭 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08;H03K17/16;H03K17/567 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 包跃华;周春燕 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电力 转换 装置 | ||
在电力转换装置中,具备半导体开关元件,其具有控制电极端子、以及两个主电极端子,通过施加在控制电极端子的驱动信号来控制流通于所述两个主电极端子间的电流;以及驱动电路,其与输入信号同步地生成所述驱动信号,并且通过该驱动信号来导通、关断半导体开关元件,驱动电路在将半导体开关元件关断的时刻,检测流通于所述两个主电极间的电流,若该检测到的电流成为固定值以下,则使驱动能力下降。由此,降低在比较小的电流区域中动作的半导体开关元件的开关时的dv/dt噪声。
技术领域
本发明涉及一种具备半导体开关元件的电力转换装置,特别是,涉及根据电力转换装置的输出电流来调整该半导体开关元件的驱动能力的电力转换装置。
背景技术
以往,提出有降低随着构成电力转换装置的IGBT等半导体开关元件的开关动作而产生的噪声的技术。
例如,在专利文献1中公开有如下开关元件驱动装置,即,在以高的驱动能力使上臂的MOS晶体管导通后,若该MOS晶体管的输出电流达到上一次开关时的输出电流,则使该MOS晶体管的驱动能力下降缓和下臂的续流二极管的反向恢复电流的变化率,由此,降低开关时的噪声。
然而,存在如何降低在输出电流比较小的区域动作的电力转换装置的dv/dt噪声这一问题。以下,参照附图,对该问题更详细地进行说明。
例如,在图9所示的向具有电感L的负载供给电力的电力转换装置中,考虑构成半桥电路的上臂的IGBT81a从导通状态变为关断状态而使上下臂的IGBT两者都成为关断状态,其后下臂的IGBT82a从关断状态变化为导通状态的时刻的dv/dt。在该情况下,导通的下臂的IGBT82a的集电极·发射极间电压(VCE)与上臂的续流二极管81b的沿正向流通的电流(I)的波形如图10所示。图10是示出从上下臂的IGBT两者都成为关断的初始状态开始的动作的图,实线a是电力转换装置在输出电流比较大的区域(大电流区域)动作时的波形,虚线b是电力转换装置在输出电流比较小的区域(小电流区域)动作时的波形。
如该图所示,在实线a中,流通于上臂的续流二极管81b的反向恢复电流平缓地恢复,因此下臂的IGBT82a的集电极·发射极间电压(VCE)的dv/dt比较小。与此相对,在虚线b中,流通于上臂的续流二极管81b的反向恢复电流急剧地恢复,因此下臂的IGBT82a的集电极·发射极间电压(VCE)的dv/dt相对地变大。即,随着电力转换装置的电流变小,根据续流二极管的反向恢复特性,dv/dt噪声有变大的倾向。
因此,在监视电力转换装置的电流而在小电流区域动作的情况下,期望采取缓和dv/dt的对策。然而,上述的专利文献1并未降低电力转换装置在小电流区域动作时的dv/dt噪声。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2018-182818号公报
发明内容
技术问题
本发明是鉴于上述情况而做出的,其目的在于提供一种电力转换装置,该电力转换装置能够检测出具备半导体开关元件的电力转换装置在小电流区域动作的情况,并且在小电流区域动作时降低半导体开关元件的开关时的dv/dt噪声。
技术方案
为了达到上述目的,本发明的电力转换装置的特征在于,所述电力转换装置具备:半导体开关元件,其具有控制电极端子、以及两个主电极端子,通过施加在所述控制电极端子的驱动信号来控制流通于所述两个主电极端子间的电流;以及驱动电路,其与输入信号同步地生成所述驱动信号,并且通过该驱动信号来导通、关断所述半导体开关元件,所述驱动电路在将所述半导体开关元件关断的时刻,检测流通于所述半导体开关元件的所述两个主电极间的电流而调整驱动能力。
在本电力转换装置中,通过在将半导体开关元件关断的时刻检测流通于主电极间的电流(主电流),从而判定电力转换装置所动作的电流区域(是大电流区域还是小电流区域等)。
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