[实用新型]SiC石墨件打磨工具有效
| 申请号: | 202023315788.5 | 申请日: | 2020-12-31 |
| 公开(公告)号: | CN214642906U | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
| 发明(设计)人: | 刘欢;杨军伟 | 申请(专利权)人: | 松山湖材料实验室 |
| 主分类号: | B24D15/02 | 分类号: | B24D15/02 |
| 代理公司: | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人: | 何耀煌 |
| 地址: | 523000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | sic 石墨 打磨 工具 | ||
本实用新型公开了的一种SiC石墨件打磨工具,其包括塑料握持把、塑料固定件和SiC块体,塑料握持把的下端与塑料固定件相连接,SiC块体设置在塑料固定件的底面。合理选用塑料制成塑料握持把和塑料固定件,有效避免因采用木质品而引入碳杂质或采用金属而引入金属杂质等问题;采用高纯碳化硅材质制成SiC块体,有效避免打磨时引入其它杂质,能显著提高了石墨件使用寿命,降低了耗材成本;而且设有塑料握持把,易于握持操作,利于提高工作效率,改善石墨件表面的打磨效果,另外SiC块体可以根据不同形状、不同类型的石墨件设计成不同的形状,以满足不同的打磨清理需求,适用范围广。
技术领域
本实用新型属于晶圆生产技术领域,具体涉及一种SiC石墨件打磨工具。
背景技术
在晶圆外延生长过程中,外延炉腔体内石墨件表面生长达到一定的厚度就需要定期清理,但在清理时,因长期的人工打磨没有专业化、标准化的工具,使得打磨效果参差不齐,且在影响打磨效率的同时还会因打磨工具材料使用不当引入杂质;若打磨效果不佳则会直接影响石墨盘的使用寿命,使得石墨盘消耗量大幅度增加,显著增加了耗材成本。
公开号“CN102794281B”,名称为“直拉法单晶炉热场中的石墨件的清洗方法”的中国实用新型专利公开了一种直拉法单晶炉热场中的石墨件的清洗方法,其是通过控制腔室的温度和升温速率摸索出一个合适的清洁工艺,虽然可以达到完全清洁腔室每个部分的石墨件。但是采用此类方法摸索工艺过程复杂,花费成本较高,只能适用于部分生长炉,应用面相对较窄,不利于推广使用。
实用新型内容
针对上述的不足,本实用新型目的在于,提供一种能减少了杂质的引入,打磨清理效果好,有效延长石墨件使用寿命的SiC石墨件打磨工具。
为实现上述目的,本实用新型所提供的技术方案是:一种SiC石墨件打磨工具,其包括塑料握持把、塑料固定件和SiC块体,所述塑料握持把的下端与所述塑料固定件相连接,所述SiC块体设置在塑料固定件的底面。
作为本实用新型的一种优选方案,所述塑料握持把呈圆柱状。
作为本实用新型的一种优选方案,所述塑料握持把和塑料固定件为一体连接结构。
作为本实用新型的一种优选方案,所述塑料固定件的顶面上设有与所述塑料握持把相适配的连接孔,所述塑料握持把的下端插入连接孔。
作为本实用新型的一种优选方案,所述塑料固定件的底面设有与所述SiC块体相适配的装配腔。
作为本实用新型的一种优选方案,所述SiC块体与晶圆相接触的底部为平整面,与平整面相邻连接侧壁为垂直面,该垂直面与平整面之间的夹角为90度。
作为本实用新型的一种优选方案,所述SiC块体与晶圆相接触的底部一侧壁为垂直面,与该垂直面相对的另一侧壁为倾斜面,该倾斜面的下端向下延伸与所述垂直面相连接。
本实用新型的有益效果为:本实用新型合理选用塑料制成塑料握持把和塑料固定件,有效避免因采用木质品而引入碳杂质或采用金属而引入金属杂质等问题;采用高纯碳化硅材质制成SiC块体,有效避免打磨时引入其它杂质,能显著提高了石墨件使用寿命,降低了耗材成本;而且设有塑料握持把,易于握持操作,方便使用,利于提高工作效率,改善石墨件表面的打磨效果,另外SiC块体可以根据不同形状、不同类型的石墨件设计成不同的形状,以满足不同的打磨清理需求,适用范围广。
下面结合附图与实施例,对本实用新型作进一步说明。
附图说明
图1为本实用新型的实施例1的主视结构示意图。
图2为本实用新型的实施例1的侧视结构示意图。
图3为本实用新型的实施例2的主视结构示意图。
图4为本实用新型的实施例2的侧视结构示意图。
具体实施方式
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