[实用新型]一种抑制浪涌电压的电路

说明书

本实用新型属于直流电源技术领域，具体涉及一种抑制浪涌电压的电路。通过利用型号为LT4363的主控制芯片M1，搭建外围电路形成了一种抑制浪涌电压的电路。本实用新型的电路能够在8V～36V输入，额定工作电流5A的情况下，将母线电压为80V/50ms的浪涌电压箝位在36V。

技术领域

本实用新型属于直流电源技术领域，具体涉及一种抑制浪涌电压的电路。

背景技术

目前，过压浪涌的抑制方法主要由功率三级管、功率电阻及稳压二极管组合的电路形式实现，电路虽比较简单，但由于功率三级管自身的压降较大，随着电路中电流的增大，功率三级管的损耗将会加大，体积要求将会增大、电路可靠性降低，且影响整个电路的效率。这种方案体积大、效率低，可靠性低。

发明内容

发明目的：提供一种可靠性高、体积小、功耗低的抑制浪涌电压的电路。

技术方案：

第一方面,提供了一种抑制浪涌电压的电路，包括：主控制芯片M1，第一N沟道MOS管T1、第二N沟道MOS管T2、三个电容、四个电阻、稳压二极管D1和瞬态抑制二极管D2，其中，主控制芯片M1的型号为LT4363，第一N沟道MOS管T1的漏极、第二N沟道MOS管T2的漏极、第三电阻R3的一端与输入端正极连接；第一N沟道MOS管T1的栅极、第二N沟道MOS管T2的栅极、第一电阻R1的一端、第一电容C1的一端和稳压二极管D1的负极连接；第一N沟道MOS管T1的源极、第二N沟道MOS管T2的源极、第二电阻R2的一端、主控制芯片M1的第二和第三引脚与输出端正极连接；稳压二极管D1的正极、第一电容C1的另一端、第三电容C3的一端、瞬态抑制二极管D2的正极、第四电阻R4的一端、第二电容C2的一端、主控制芯片M1的第七和第九引脚均接地；第三电阻R3的另一端、第三电容C3的另一端、瞬态抑制二极管D2的负极与主控制芯片M1的第五、第六和第八引脚均连接；第一电阻R1的另一端与主控制芯片M1的第四引脚连接；第二电阻R2的另一端、第四电阻R4的另一端与主控制芯片M1的第一引脚连接；第二电容C2的另一端与主控制芯片M1的第十二引脚连接。

进一步地，第一N沟道MOS管T1和第二N沟道MOS管T2相同。

进一步地，第一N沟道MOS管T1和第二N沟道MOS管T2的导通电阻为42mΩ，耐压大于等于150V。

进一步地，稳压二极管D1为39V稳压二极管。

进一步地，第二电容C2的电容为4.7uF。

进一步地，第一电阻R1电阻为1kΩ。

有益效果：

本实用新型的电路能够在8V～36V输入，额定工作电流5A的情况下，将母线电压为80V/50ms的浪涌电压箝位在36V。

附图说明

图1为根据本实用新型实施例的抑制浪涌电压的电路原理图。

具体实施方式

为了解决上述问题，提出了一种抑制浪涌电压的电路，电路整体体积较小，内部选用4～80V宽范围输入的主控制芯片M1及并联使用导通电阻为42mΩ的N沟道MOS管，最终实现超低损耗、额定电流5A，抑制80V/50ms浪涌电压的功能。保证后端用电设备的正常工作。