[实用新型]用于模数转换器失调校准的动态比较器

权利要求书

1.一种用于模数转换器失调校准的动态比较器，包括一级预放大器、二级预放大器和锁存器，其特征在于：还包括三级预放大器、四级预放大器；一级预放大器、二级预放大器、三级预放大器、四级预放大器和锁存器依次相连；

一级预放大器的输入端分别与输入信号开关和第一开关的一端连接，输入信号开关的另一端与输入信号连接，第一开关的另一端与共模信号连接；一级预放大器的输出端与第一校准电容的上级板连接；

二级预放大器的输入端分别与第二开关的一端和第一校准电容的下级板连接，第二开关的另一端与共模信号连接；二级预放大器的输出端与第二校准电容的上级板连接；

三级预放大器的输入端分别与第三开关的一端和第二校准电容的下级板连接，第三开关的另一端与共模信号连接；三级预放大器的输出端与第三校准电容的上级板连接；

四级预放大器的输入端分别与第四开关的一端和第三校准电容的下级板连接，第四开关的另一端与共模信号连接；四级预放大器的输出端与锁存器的输入端连接，锁存器的输出端与方向器连接。

2.如权利要求1所述的用于模数转换器失调校准的动态比较器，其特征在于：所述一级、二级、三级、四级预放大器均具有相同的电路结构，每级预放大器均包括第一金属氧化物半导体管、第二金属氧化物半导体管、第三金属氧化物半导体管、第四金属氧化物半导体管、第五金属氧化物半导体管、第六金属氧化物半导体管。

3.如权利要求2所述的用于模数转换器失调校准的动态比较器，其特征在于：所述第一金属氧化物半导体管、第二金属氧化物半导体管组成差分输入对管；第一金属氧化物半导体管、第二金属氧化物半导体管的漏极与电源连接；第一金属氧化物半导体管的栅极分别与正差分输入信号连接，第二金属氧化物半导体管的栅极与负差分输入信号连接；第一金属氧化物半导体管的源极与第四金属氧化物半导体管的漏极连接，第二金属氧化物半导体管的源极与第五金属氧化物半导体管的漏极连接。

4.如权利要求2所述的用于模数转换器失调校准的动态比较器，其特征在于：所述第三金属氧化物半导体管的栅极与时钟信号连接，第三金属氧化物半导体管的漏极与第一金属氧化物半导体管的源极连接，第三金属氧化物半导体管的源极与第二金属氧化物半导体管的源极连接。

5.如权利要求2所述的用于模数转换器失调校准的动态比较器，其特征在于：所述第四金属氧化物半导体管、第五金属氧化物半导体管的连接方式为二极管连接；第四金属氧化物半导体管的漏极与第一金属氧化物半导体管的源极连接，第五金属氧化物半导体管的漏极与第二金属氧化物半导体管的源极相连；第四金属氧化物半导体管、第五金属氧化物半导体管的栅极分别与各自的漏极连接；第四金属氧化物半导体管、第五金属氧化物半导体管的源极共同连接到第六金属氧化物半导体管的漏极；第六金属氧化物半导体管作为尾电流源产生管，其栅极与偏置电压电路连接，其源极逻辑接地。

6.如权利要求1所述的用于模数转换器失调校准的动态比较器，其特征在于：所述锁存器包括五个N型金属氧化物半导体管和八个P型金属氧化物半导体管；五个N型金属氧化物半导体管依次为第一N型金属氧化物半导体管、第二N型金属氧化物半导体管、第三N型金属氧化物半导体管、第四N型金属氧化物半导体管、第五N型金属氧化物半导体管；八个P型金属氧化物半导体管依次为第一P型金属氧化物半导体管、第二P型金属氧化物半导体管、第三P型金属氧化物半导体管、第四P型金属氧化物半导体管、第五P型金属氧化物半导体管、第六P型金属氧化物半导体管、第七P型金属氧化物半导体管、第八P型金属氧化物半导体管。