[实用新型]一种低静态功耗带功率要求的强电开入回路

权利要求书

1.一种低静态功耗带功率要求的强电开入回路，其特征在于：包括开入识别电路和大功率控制电路；

所述大功率控制电路包括：第一电阻R1、第二电阻R2、第六电阻R6、稳压管V2和第二MOS管Q2；所述第二电阻R2的一端接外部电压信号开入端正极，另一端接稳压管V2的阴极，稳压管V2的阳极接第六电阻R6，所述第六电阻R6的另一端接外部电压信号开入端负极；第二MOS管Q2的G极与稳压管V2、第六电阻R6之间的节点相连，第二MOS管Q2的S极接外部电压信号开入端负极，外部电压信号开入端正极与第二MOS管Q2的D极之间串接第一电阻R1；

所述开入识别电路包括：第三电阻R3、第四电阻R4、光耦U1和第一MOS管Q1；第三电阻R3、第四电阻R4串联连接，第三电阻R3接外部电压信号开入端正极，第四电阻R4接外部电压信号开入端负极，第一MOS管Q1的G极与第三电阻R3、第四电阻R4之间的节点相连，第一MOS管Q1的S极接外部电压信号开入端负极，第一MOS管Q1的D极接光耦U1的阴极，光耦U1的阳极与第二电阻R2、稳压管V2之间的节点连接。

2.根据权利要求1所述的一种低静态功耗带功率要求的强电开入回路，其特征在于：还包括第一二极管V1，第一二极管V1的阴极接外部电压信号开入端负极，第一二极管V1的阳极与第四电阻R4、第一MOS管Q1的S极、第六电阻R6、第二MOS管Q2的S极之间的连接点相连。

3.根据权利要求1所述的一种低静态功耗带功率要求的强电开入回路，其特征在于：在光耦U1的发光二极管侧并联有第五二极管V5，第五二极管V5的阴极连接光耦U1的阳极，第五二极管V5的阳极连接光耦U1的阴极。

4.根据权利要求1所述的一种低静态功耗带功率要求的强电开入回路，其特征在于：在第一MOS管Q1的DS极两端并联有第四TVS二极管V4，第四TVS二极管V4的阴极与第一MOS管Q1的D极相连；在第二MOS管Q2的DS极两端并联有第三TVS二极管V3，第三TVS二极管V3的阴极与第二MOS管Q2的D极相连。

5.根据权利要求4所述的一种低静态功耗带功率要求的强电开入回路，其特征在于：TVS二极管V3、V4的最大击穿电压均大于各自MOS管Q1,Q2的DS极电压。

6.根据权利要求1所述的一种低静态功耗带功率要求的强电开入回路，其特征在于：光耦U1为达林顿型光耦。

7.根据权利要求1所述的一种低静态功耗带功率要求的强电开入回路，其特征在于：第一、二MOS管的DS极最高耐压V_DS均大于开入电压的最大值。